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株式会社国际电气西田圭吾获国家专利权

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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114121714B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110650848.9,技术领域涉及:H01L21/67;该发明授权清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质是由西田圭吾;石黑谦一;尾崎贵志设计研发完成,并于2021-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。

清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在说明书摘要公布了:本申请涉及清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。提高处理容器内的清洁效果。具有通过将包含下述工序的循环在第1温度下进行规定次数从而将附着于处理容器内的物质除去的工序:a向进行针对衬底的处理后的处理容器内供给含氮及氢气体和含氟气体中的一种气体的工序;和b向残留有一种气体的状态的处理容器内供给含氮及氢气体和含氟气体中的与一种气体不同的另一种气体的工序。

本发明授权清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在权利要求书中公布了:1.清洁方法,其为处理容器内的清洁方法,具有通过将包含下述工序的循环在第1温度下进行规定次数从而将附着于所述处理容器内的物质除去的工序: a向进行针对衬底的处理后的所述处理容器内供给含氮及氢气体和含氟气体中的一种气体的工序;和 b向残留有所述一种气体的状态的所述处理容器内供给所述含氮及氢气体和所述含氟气体中的与所述一种气体不同的另一种气体的工序, 其中,b具有下述工序: b1在使所述处理容器内的排气停止的状态下,向所述处理容器内供给所述另一种气体的工序;和 b2在对所述处理容器内实施排气的状态下,向所述处理容器内供给所述另一种气体的工序。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人株式会社国际电气,其通讯地址为:日本东京都;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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