株式会社迪思科服部奈绪获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利器件的制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113823594B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110642440.7,技术领域涉及:H01L21/78;该发明授权器件的制造方法是由服部奈绪;武田昇设计研发完成,并于2021-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本器件的制造方法在说明书摘要公布了:本发明提供器件的制造方法,能够抑制从基板剥离时对光器件层造成损伤。器件的制造方法包含:带粘贴步骤101,在光器件晶片的光器件层的正面上粘贴具有伸缩性的带;分割起点形成步骤102,将聚光点定位于光器件层的内部而照射对于光器件层具有透过性的波长的激光束,从而形成分割起点;缓冲层破坏步骤103,从光器件晶片的外延基板的背面侧照射对于外延基板具有透过性且对于缓冲层具有吸收性的波长的激光束,从而将缓冲层破坏;剥离步骤104,将外延基板从光器件层剥离;以及分割步骤105,通过对带施加外力而沿着分割起点将光器件层分割。
本发明授权器件的制造方法在权利要求书中公布了:1.一种器件的制造方法,将在外延基板的正面上隔着缓冲层而层叠有光器件层的光器件晶片的光器件层转移到移设部件上而制造LED器件,其特征在于, 该器件的制造方法包含如下的步骤: 带粘贴步骤,在该光器件晶片的光器件层的正面上粘贴具有伸缩性的带; 分割起点形成步骤,在该带粘贴步骤之前或之后,将聚光点定位于该光器件层的内部而照射对于该光器件层具有透过性的波长的激光束从而形成分割起点; 缓冲层破坏步骤,在该带粘贴步骤和该分割起点形成步骤之后,从该光器件晶片的外延基板的背面侧照射对于该外延基板具有透过性且对于缓冲层具有吸收性的波长的激光束,将该缓冲层破坏; 剥离步骤,在该缓冲层破坏步骤之后,将该外延基板从该光器件层剥离;以及 分割步骤,在该剥离步骤之后,对该带施加外力从而沿着分割起点将该光器件层分割。
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