中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司罗浩获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利SOI衬底、SOI器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440790B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110618751.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权SOI衬底、SOI器件及其形成方法是由罗浩设计研发完成，并于2021-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本SOI衬底、SOI器件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种SOI衬底、SOI器件及其形成方法，所述SOI衬底包括：底部硅层；位于所述底部硅层上的埋入氧化层；位于所述埋入氧化层中的复合中心层；所述复合中心层的顶部表面与所述埋入氧化层的顶部表面齐平；位于所述埋入氧化层和所述复合中心层上的顶部硅层；所述顶部硅层具有有源区，所述有源区中后续形成有源漏掺杂区，所述复合中心层位于后续形成的源漏掺杂区的下方，所述复合中心层用于吸附后续形成的中性区中的电荷并导出。上述的方案，可以有效抑制浮体效应，提高所形成的SOI器件的性能。
本发明授权SOI衬底、SOI器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种SOI衬底，其特征在于，包括： 底部硅层； 位于所述底部硅层上的埋入氧化层； 位于所述埋入氧化层中的复合中心层；所述复合中心层的顶部表面与所述埋入氧化层的顶部表面齐平，且所述复合中心层的厚度小于所述埋入氧化层的厚度； 位于所述埋入氧化层和所述复合中心层上的顶部硅层；所述顶部硅层具有有源区，所述有源区中后续形成有源漏掺杂区，所述复合中心层位于后续形成的源漏掺杂区的下方，所述复合中心层用于吸附后续形成的中性体区中的电荷并通过所述源区导出。
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