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龙图腾网获悉奇跃公司申请的专利用于扫描MEMS悬臂的方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115697707B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180036766.3，技术领域涉及：B32B38/10；该发明授权用于扫描MEMS悬臂的方法和系统是由S·A-B·希克曼;S·C·麦克奎德;A·拉吉夫;B·T·朔文格特;C·D·梅尔维尔设计研发完成，并于2021-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于扫描MEMS悬臂的方法和系统在说明书摘要公布了：一种用于制造具有器件表面、锥形表面和端部区域的悬臂的方法，包括：提供具有第一侧面和与第一侧面相对的第二侧面的半导体衬底，以及蚀刻第二侧面的预定部分以在第二侧面中形成多个凹部。多个凹部中的每一个凹部包括蚀刻终止表面。该方法还包括：各向异性地蚀刻蚀刻终止表面以形成悬臂的锥形表面，以及蚀刻器件表面的预定部分以释放悬臂的端部区域。

本发明授权用于扫描MEMS悬臂的方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种用于制造悬臂的方法，所述方法包括： 提供半导体衬底，其包括第一半导体层、耦接到所述第一半导体层的第一介电层和耦接到所述第一介电层的第二半导体层； 形成耦接到所述第一半导体层的第二介电层； 形成耦接到所述第二半导体层的第三介电层； 形成耦接到所述第二介电层的第一硬掩模层，其中，所述第一硬掩模层包括暴露所述第二介电层的第一表面部分的第一组开口； 使用所述第一硬掩模层作为掩模来蚀刻所述第二介电层； 使用所述第一硬掩模层作为掩模来蚀刻所述第一半导体层； 使用所述第一硬掩模层作为掩模来蚀刻所述第一介电层； 使用所述第一硬掩模层作为掩模来蚀刻所述第二半导体层以形成各自具有锥形表面的多个凹部，其中，所述多个凹部中的每一个凹部包括在第一区域处的第一深度和在第二区域处的大于所述第一深度的第二深度； 移除所述第一硬掩模层； 形成耦接到所述第三介电层的第二硬掩模层，其中，所述第二硬掩模层包括暴露所述第三介电层的第二表面部分的第二组开口，其中，所述第三介电层的所述第二表面部分与所述多个凹部中的每一个凹部的所述第二区域的至少一部分对准； 使用所述第二硬掩模层作为掩模来蚀刻所述第三介电层和所述第二半导体层以延伸到所述多个凹部中； 移除所述第二硬掩模层； 移除所述第三介电层；以及 移除所述第二介电层。

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