常州亿晶光电科技有限公司吴佳俊获国家专利权
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龙图腾网获悉常州亿晶光电科技有限公司申请的专利硅片刻蚀装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113161266B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110423573.5，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权硅片刻蚀装置是由吴佳俊设计研发完成，并于2021-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅片刻蚀装置在说明书摘要公布了：本发明涉及硅片生产设备技术领域，尤其是涉及一种硅片刻蚀装置，包括用于对硅片单面喷射介质的喷淋装置、用于对硅片进行支撑的支撑机构和用于限制硅片位移范围的第一限位机构，所述支撑机构位于喷淋机构和第一限位机构之间，当硅片放置在支撑机构上时，所述硅片与第一限制机构之间具有间隙，当所述喷淋装置对硅片单面喷射介质时，使用时，通过将硅片放置在支撑机构上进行支撑，而喷淋机构对硅片的单面进行喷淋介质，在介质的作用力下硅片悬浮并与限位机构接触，限位机构限制了硅片在支撑机构和限位机构之间的位移范围，由原有的浸泡改为喷淋，不会出现硅片由于介质波动而翻越至硅片另一面的现象，保证了硅片生产稳定可。
本发明授权硅片刻蚀装置在权利要求书中公布了：1.一种硅片刻蚀装置，其特征在于：包括用于对硅片（8）单面喷射介质的喷淋装置、用于对硅片（8）进行支撑的支撑机构和用于限制硅片（8）位移范围的第一限位机构，所述支撑机构位于喷淋装置和第一限位机构之间，当所述喷淋装置对硅片（8）单面喷射介质时，所述硅片（8）在介质的作用力下悬浮并脱离支撑机构，同时硅片（8）与第一限位机构接触并限制硅片（8）位移； 所述第一限位机构包括设置在硅片（8）上方的芯轴（3）； 所述第一限位机构还包括浮动压轮（4），所述浮动压轮（4）上设置有安装孔（401），所述安装孔（401）的孔径大于芯轴（3）的直径，所述芯轴（3）穿过安装孔（401），当硅片8放置在支撑机构上时，所述浮动压轮4与硅片8接触，通过在芯轴（3）上浮动设置浮动压轮（4），浮动压轮（4）对硅片（8）起到缓冲作用。
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