世界先进积体电路股份有限公司卡鲁纳·尼迪获国家专利权
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龙图腾网获悉世界先进积体电路股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115224022B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110404708.3,技术领域涉及:H10D89/60;该发明授权半导体装置是由卡鲁纳·尼迪;林志轩;李建兴;邱华琦设计研发完成,并于2021-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了:本发明提供一种半导体装置,该半导体装置包括:至少一晶体管、浅井区、保护环、以及多个第一掺杂区及多个第二掺杂区。所述至少一晶体管位于一基板上,所述至少一晶体管包括源极结构、栅极结构、及漏极结构。浅井区围绕所述至少一晶体管。浅井区具有第一导电类型。保护环围绕浅井区。保护环具有第一导电类型。第一掺杂区及第二掺杂区设置在保护环内并围绕浅井区。第一掺杂区及第二掺杂区交替设置以形成一环形。第一掺杂区中的每一个及第二掺杂区中的每一个具有相反的导电类型。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置,其特征在于,包括: 至少一晶体管,于一基板上,至少一晶体管包括一源极结构、一栅极结构、及一漏极结构; 一浅井区,围绕所述至少一晶体管,其中所述浅井区具有一第一导电类型; 一保护环,围绕所述浅井区,其中所述保护环具有所述第一导电类型;以及 多个第一掺杂区及多个第二掺杂区,设置在所述保护环内并围绕所述浅井区,其中所述第一掺杂区及所述第二掺杂区交替设置,以形成一环形,且各所述第一掺杂区及各所述第二掺杂区具有相反的导电类型,其中所述第一掺杂区的掺杂浓度及所述第二掺杂区的掺杂浓度大于所述保护环的掺杂浓度,其中所述第一掺杂区中的每一个与所述第二掺杂区中的每一个是分隔的。
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