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龙图腾网获悉特利丹达尔萨公司申请的专利图像传感器和包括所述图像传感器的成像系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113518191B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110381576.7，技术领域涉及：H04N25/30；该发明授权图像传感器和包括所述图像传感器的成像系统是由C·斯密特;W·J·金迪特设计研发完成，并于2021-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本图像传感器和包括所述图像传感器的成像系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种图像传感器且涉及一种包括所述图像传感器的成像系统。本发明尤其涉及X射线图像传感器和成像系统。根据本发明的所述图像传感器包括：像素阵列，所述像素阵列包含以行和列的矩阵布置的多个有源像素；以及多个列线，出于输出像素信号的目的，相同列中的像素的输出耦合到所述列线。所述图像传感器进一步包括读出电路系统，所述读出电路系统包含多个读出单元，每个读出单元被配置成用于通过所述读出单元的输入节点读出相应的列线。所述图像传感器的特征在于所述图像传感器进一步包括电容单元，例如电容器，以用于将每个输入节点电容耦合到其对应的列线。

本发明授权图像传感器和包括所述图像传感器的成像系统在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其包括： 像素阵列，其集成在薄膜晶体管‘TFT’面板上，并且包括以行和列的矩阵布置的多个有源像素，并且包括多个列线，其中，出于输出像素信号的目的，相同列中的像素的输出耦合到多个列线中的一个列线，其中，所述图像传感器被配置为使得在操作期间，每个列线上的电压被限制在第一电压和第二电压之间； 读出电路系统，其包括多个读出单元，每个读出单元被配置成用于通过所述读出单元的输入节点读出相应的列线； 其中所述图像传感器进一步包括电容单元，用于将每个输入节点电容耦合到其对应的列线； 其中所述读出电路系统集成在第一类型的一个或更多个半导体裸片上，并且其中所述电容单元集成在第二类型的一个或更多个半导体裸片上； 其中所述第一类型的所述一个或更多个半导体裸片已经使用第一半导体工艺制造，并且每个均包括用以实现所述读出电路系统的低压组件，所述读出电路系统具有第一最大额定电压； 其中所述第二类型的所述一个或更多个半导体裸片已经使用与所述第一半导体工艺不同的第二半导体工艺制造，并且每个均包括用以实现所述电容单元的高压组件，所述电容单元具有比所述第一最大额定电压高的第二最大额定电压；并且 其中所述第一电压与所述第二电压之间的差大于所述第一最大额定电压但小于所述第二最大额定电压。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人特利丹达尔萨公司，其通讯地址为：荷兰埃因霍温；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。