英诺赛科(珠海)科技有限公司李啓珍获国家专利权
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龙图腾网获悉英诺赛科(珠海)科技有限公司申请的专利氮化镓半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113035712B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110335610.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权氮化镓半导体器件及其制备方法是由李啓珍;黄敬源设计研发完成，并于2021-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化镓半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种氮化镓半导体器件及其制备方法，氮化镓半导体器件的制备方法包括采用非本征掺杂剂通过外部碳掺杂法在缓冲层与沟道层之间形成碳掺杂层，外部碳掺杂法的生长条件为：衬底表面温度大于或等于900℃，生长压力大于或等于50mbar以及ⅤⅢ比大于或等于200。氮化镓半导体器件中碳浓度均匀且器件击穿均匀性好。
本发明授权氮化镓半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.氮化镓半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 采用非本征掺杂剂通过外部碳掺杂法在缓冲层与沟道层之间形成碳掺杂层； 所述外部碳掺杂法的生长条件为：衬底表面温度大于或等于900℃，生长压力大于或等于50mbar以及ⅤⅢ比大于或等于200； 所述碳掺杂层包括碳掺杂高阻层和非故意掺杂层，所述碳掺杂高阻层的碳浓度大于所述非故意掺杂层的碳浓度； 所述非故意掺杂层位于所述缓冲层与所述碳掺杂高阻层之间,或者所述非故意掺杂层位于所述碳掺杂高阻层内； 所述非本征掺杂剂为丙烷、甲烷和乙烯中的一种或多种； 形成所述碳掺杂高阻层所采用的外部掺杂法的生长条件如下：衬底表面温度为1000℃，生长压力为50mbar，ⅤⅢ比为1890； 形成所述非故意掺杂层所采用的外部掺杂法的生长条件如下：衬底表面温度为1050℃，生长压力为200mbar，ⅤⅢ比为400； 所述碳掺杂高阻层包括碳掺杂超晶格层和碳掺杂氮化镓层，所述碳掺杂超晶格层为碳掺杂氮化镓超晶格层、碳掺杂铝镓氮超晶格层或碳掺杂氮化铝超晶格层； 所述非故意掺杂层的碳浓度小于5E18个原子cm3，所述碳掺杂高阻层的碳浓度大于5E18个原子cm3。
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