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龙图腾网获悉信越半导体株式会社申请的专利半导体基板的热氧化膜形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115668465B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180035761.9，技术领域涉及：H01L21/316；该发明授权半导体基板的热氧化膜形成方法是由大槻刚;阿部达夫设计研发完成，并于2021-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体基板的热氧化膜形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体基板的热氧化膜形成方法，其具有下述工序：相关关系获取工序，其中，预先准备由清洗而形成的化学氧化膜的构成各不相同的多个半导体基板，在相同的热氧化处理条件下进行热氧化处理从而形成热氧化膜，求出化学氧化膜的构成与热氧化膜的厚度的相关关系；清洗条件确定工序，其中，根据在相关关系获取工序中得到的相关关系，以使形成于半导体基板的热氧化膜的厚度为规定厚度的方式确定化学氧化膜的构成，并同时确定形成具有确定出的化学氧化膜的构成的化学氧化膜的清洗条件；基板清洗工序，其中，在所确定的清洗条件下对半导体基板进行清洗；热氧化膜形成工序，其中，对于进行了清洗的所述半导体基板，在与相关关系获取工序中的热氧化处理条件相同的条件下，对半导体基板进行热氧化处理，在所述半导体基板表面形成热氧化膜。由此，能够再现性良好地将热氧化膜形成为如预期的膜厚。

本发明授权半导体基板的热氧化膜形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体基板的热氧化膜形成方法，其是在半导体基板上形成热氧化膜的方法，其特征在于， 该方法具有下述工序： 相关关系获取工序，其中，预先准备多个半导体基板，所述多个半导体基板具有由清洗而形成的化学氧化膜且所述化学氧化膜的构成各不相同，在相同的热氧化处理条件下对所述多个半导体基板进行热氧化处理从而形成热氧化膜，求出所述化学氧化膜的构成与所述热氧化膜的厚度的相关关系； 清洗条件确定工序，其中，根据在所述相关关系获取工序中得到的所述相关关系，以使形成于作为形成热氧化膜的对象的半导体基板的热氧化膜的厚度为规定厚度的方式确定所述化学氧化膜的构成，并同时确定形成具有所述确定出的化学氧化膜的构成的化学氧化膜的清洗条件； 基板清洗工序，其中，在所述清洗条件确定工序中所确定的清洗条件下对所述半导体基板进行清洗；以及 热氧化膜形成工序，其中，对于在所述基板清洗工序中进行了清洗的所述半导体基板，在与所述相关关系获取工序中的所述热氧化处理条件相同的条件下，对所述半导体基板进行热氧化处理，从而在所述半导体基板表面形成热氧化膜。

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