汉阳大学校产学协力团郑在景获国家专利权
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龙图腾网获悉汉阳大学校产学协力团申请的专利包括结晶IZTO氧化物半导体的薄膜晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115088083B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180014080.4，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权包括结晶IZTO氧化物半导体的薄膜晶体管及其制造方法是由郑在景;温努日;金洸福设计研发完成，并于2021-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括结晶IZTO氧化物半导体的薄膜晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种结晶IZTO氧化物半导体和包括该结晶IZTO氧化物半导体的薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括：栅极；与栅极的上部或下部重叠并具有六方晶粒的结晶In‑Zn‑Sn氧化物IZTO沟道层；设置在栅极和IZTO沟道层之间的栅绝缘膜，以及连接至IZTO沟道层的各端的源极和漏极。
本发明授权包括结晶IZTO氧化物半导体的薄膜晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，包括： 栅极； 结晶In-Zn-Sn氧化物（IZTO）沟道层，所述结晶In-Zn-Sn氧化物（IZTO）沟道层与所述栅极的上部或下部重叠并具有六方晶粒； 栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述栅极和所述IZTO沟道层之间；以及 源极和漏极，所述源极和漏极分别连接至所述IZTO沟道层的两端， 其中所述六方晶粒是具有ZnOkIn2O3相的晶粒，其中k为3至11的整数，以及 其中所述IZTO沟道层还具有作为亚固相的xZnIn2O4-1-xZn2SnO4，xZnIn2O4-1-xZn2SnO4为尖晶石相，其中0x0.45。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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