艾普诺瓦泰克公司马丁·安德烈亚斯·奥尔松获国家专利权
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龙图腾网获悉艾普诺瓦泰克公司申请的专利单片微波集成电路前端模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115053337B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180013397.6，技术领域涉及：H10D84/08；该发明授权单片微波集成电路前端模块是由马丁·安德烈亚斯·奥尔松设计研发完成，并于2021-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本单片微波集成电路前端模块在说明书摘要公布了：提供了一种单片微波集成电路MMIC前端模块100，该MMIC前端模块包括：由硅衬底120支撑的氮化镓结构110；具有发射模式和接收模式的硅基发射接收开关130；发射放大器112，该发射放大器被配置为对要由所述MMIC前端模块发射的传出信号进行放大，其中，所述发射放大器电连接132到所述发射接收开关，其中，所述发射放大器包括形成在所述氮化镓结构中的氮化镓高电子迁移率晶体管HEMT114；以及接收放大器113，该接收放大器被配置为对由所述MMIC前端模块接收的传入信号进行放大，其中，所述接收放大器电连接133到所述发射接收开关，其中，所述接收放大器包括形成在所述氮化镓结构中的氮化镓HEMT115。
本发明授权单片微波集成电路前端模块在权利要求书中公布了：1.一种单片微波集成电路MMIC前端模块，包括： 由硅衬底支撑的氮化镓结构，其中，由所述硅衬底支撑的所述氮化镓结构包括第一氮化镓岛和第二氮化镓岛，其中，所述第一氮化镓岛和所述第二氮化镓岛物理分离并横向共同布置在该硅衬底上； 具有发射模式和接收模式的硅基发射接收开关； 发射放大器，该发射放大器被配置为对要由所述MMIC前端模块发射的传出信号进行放大，其中，所述发射放大器电连接到所述发射接收开关，其中，所述发射放大器包括形成在所述氮化镓结构中的氮化镓高电子迁移率晶体管HEMT；以及 接收放大器，该接收放大器被配置为对由所述MMIC前端模块接收的传入信号进行放大，其中，所述接收放大器电连接到所述发射接收开关，其中，所述接收放大器包括形成在所述氮化镓结构中的氮化镓HEMT。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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