台湾积体电路制造股份有限公司朱峯庆获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件和形成半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113284850B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110184533.X，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件和形成半导体器件的方法是由朱峯庆;李威养;杨丰诚;陈燕铭设计研发完成，并于2021-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和形成半导体器件的方法在说明书摘要公布了：公开了用于实施预清洁工艺以去除半导体器件中的氧化物的方法以及由相同方法形成的半导体器件。在实施例中，方法包括：在半导体衬底上方形成浅沟槽隔离区域；在浅沟槽隔离区域上方形成栅极堆叠件；使用各向异性蚀刻工艺蚀刻与栅极堆叠件相邻的浅沟槽隔离区域；以及在用各向异性蚀刻工艺蚀刻浅沟槽隔离区域之后，用各向同性蚀刻工艺蚀刻浅沟槽隔离区域，用于各向同性蚀刻工艺的工艺气体包括氟化氢HF和氨NH3。本申请的实施例还涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。
本发明授权半导体器件和形成半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括： 在半导体衬底上方形成浅沟槽隔离区域； 在所述浅沟槽隔离区域上方形成栅极堆叠件； 使用各向异性蚀刻工艺蚀刻与所述栅极堆叠件相邻的所述浅沟槽隔离区域，其中，使用所述各向异性蚀刻工艺蚀刻所述浅沟槽隔离区域，在所述浅沟槽隔离区域中形成第一圆形轮廓，所述第一圆形轮廓至所述浅沟槽隔离区域的顶面下方的第一深度；以及 在用所述各向异性蚀刻工艺蚀刻所述浅沟槽隔离区域之后，用各向同性蚀刻工艺蚀刻所述浅沟槽隔离区域，其中，用于所述各向同性蚀刻工艺的工艺气体包括氟化氢HF和氨NH3，其中，用所述各向同性蚀刻工艺蚀刻所述浅沟槽隔离区域，在所述浅沟槽隔离区域中形成第二圆形轮廓和第三圆形轮廓，所述第二圆形轮廓至所述浅沟槽隔离区域的顶面下方的所述第一深度，并且所述第三圆形轮廓从所述第二圆形轮廓延伸至所述浅沟槽隔离区域的顶面下方的第二深度。
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