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龙图腾网获悉金俊成申请的专利控制突触元件中电阻逐渐变化的装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114207724B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080055825.7，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权控制突触元件中电阻逐渐变化的装置和方法是由金俊成设计研发完成，并于2020-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本控制突触元件中电阻逐渐变化的装置和方法在说明书摘要公布了：本发明的目的是提供一种存储器装置，该存储器装置能够产生用于处理用于实现神经形态系统的突触元件的分析信息的逐渐电阻变化。为了解决前述缺陷，本发明提供了一种存储器装置，该存储器装置包括：存储器阵列，其包括能够选择性地存储逻辑状态的多个存储器单元以及连接到所述多个存储器单元的多条位线和字线；控制器，其控制写入步骤和读取步骤；写入单元；以及读取单元，其中，在所述写入步骤中，所述控制器使得所述写入单元从所述多个存储器单元中选择一个或更多个存储器单元，依次向其施加写入电压以允许写入逻辑状态，并且在所述读取步骤中，使得所述读取单元将读取电压施加到被选择为写入所述逻辑状态的所述一个或更多个存储器单元，并且基于流经所述一个或更多个存储器单元的电流的总和来确定突触权重，使得将所选择的一个或更多个存储器单元被识别为作为突触元件运行。

本发明授权控制突触元件中电阻逐渐变化的装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，该存储器装置包括： 存储器阵列，该存储器阵列包括彼此交叉的多条位线和多条字线、以及逐个放置在所述多条位线和所述多条字线的每个交叉点处的多个存储器单元，其中，所述多个存储器单元能够选择性地存储逻辑状态，并且所述多条位线和所述多条字线连接到所述多个存储器单元； 控制器，其用于控制写入步骤和读取步骤； 写入单元；以及 读取单元， 其中，所述控制器被配置为在所述写入步骤中，通过所述写入单元从所述多个存储器单元中选择两个或更多个存储器单元作为一个突触元件，依次向所选的两个或更多个存储器单元施加写入电压以允许在所选的两个或更多个存储器单元中写入逻辑状态，并且在所述读取步骤中，通过所述读取单元将读取电压施加到被选择为在其中写入所述逻辑状态的所述两个或更多个存储器单元，以便通过流经所述两个或更多个存储器单元的电流的总和来确定突触权重，使得允许将所选择的两个或更多个存储器单元识别为作为所述一个突触元件运行。

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