东京毅力科创株式会社田中聪志获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111755357B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010200969.9，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法是由田中聪志设计研发完成，并于2020-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法，能够改善通过蚀刻形成的孔的形状。该等离子体蚀刻装置具备处理容器、载置台、气体供给部、第一高频电源、第二高频电源以及控制装置。载置台设置于处理容器内，用于载置基板。气体供给部向处理容器内供给处理气体。第一高频电源向处理容器内供给第一高频电力，由此使处理气体等离子体化。第二高频电源向载置台供给频率比第一高频电力的频率低的第二高频电力。控制装置在每个规定周期控制第一高频电力和第二高频电力的供给及供给停止。另外，排他地供给第一高频电力和第二高频电力。另外，第一高频电力的供给及供给停止的每一个周期内的供给时间的比例比第二高频电力的该供给时间的比例低。
本发明授权等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子体蚀刻装置，具备： 处理容器； 载置台，其设置于所述处理容器内，载置层叠有作为蚀刻对象的膜的基板； 气体供给部，其向所述处理容器内供给处理气体； 第一高频电源，其向所述处理容器内供给第一高频电力，由此使被供给至所述处理容器内的所述处理气体等离子体化； 第二高频电源，其向所述载置台供给频率比所述第一高频电力的频率低的第二高频电力；以及 控制装置，其控制所述第一高频电力和所述第二高频电力的供给及供给停止， 其中，所述控制装置在每个规定周期控制所述第一高频电力和所述第二高频电力的供给及供给停止， 排他地供给所述第一高频电力和所述第二高频电力，以使得在单个周期内，在供给所述第一高频电力和所述第二高频电力中的一个的时间段内，不供给所述第一高频电力和所述第二高频电力中的另一个， 所述第一高频电力的供给及供给停止的每一个周期内的供给时间的比例比所述第二高频电力的供给及供给停止的每一个周期内的供给时间的比例低。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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