科磊股份有限公司R·弗克维奇获国家专利权
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龙图腾网获悉科磊股份有限公司申请的专利使用组合光学与电子束技术的偏移测量获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113366619B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980091117.6，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权使用组合光学与电子束技术的偏移测量是由R·弗克维奇;L·叶鲁舍米;N·古特曼设计研发完成，并于2019-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用组合光学与电子束技术的偏移测量在说明书摘要公布了：本发明揭示一种用于制造半导体装置晶片的偏移计量系统，其包含：光学偏移计量工具，其经配置以测量选自旨在相同的一批半导体装置晶片的半导体装置的两个层之间的至少一个目标处的偏移；电子束偏移计量工具，其经配置以测量选自所述批的半导体装置的两个层之间的所述至少一个目标处的偏移；及组合器，其可操作以组合所述光学偏移计量工具及所述电子束偏移计量工具的输出以提供组合偏移度量。
本发明授权使用组合光学与电子束技术的偏移测量在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体装置晶片的偏移计量系统，其包括： 光学偏移计量工具，其经配置以测量选自旨在相同的一批半导体装置晶片的半导体装置的两个层之间的至少一个目标处的偏移； 电子束偏移计量工具，其经配置以测量选自所述批的半导体装置的两个层之间的所述至少一个目标处的偏移；及 组合器，其用于组合所述光学偏移计量工具及所述电子束偏移计量工具的输出以提供组合偏移度量，其中所述光学偏移计量工具及所述电子束偏移计量工具的所述输出是在同一制造过程中测量的。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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