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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利用于先进的集成电路结构制造的鳍末端插塞结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109860189B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811306956.9，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权用于先进的集成电路结构制造的鳍末端插塞结构是由B.何;C-K.黄;E.汤普森;J.卢斯;M.L.哈滕多夫;C.P.奥思设计研发完成，并于2018-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于先进的集成电路结构制造的鳍末端插塞结构在说明书摘要公布了：本发明公开了用于先进的集成电路结构制造的鳍末端插塞结构。本公开的实施例属于先进的集成电路结构制造的领域，并且尤其是10纳米节点以及更小的集成电路结构制造和所得到的结构的领域。在示例中，集成电路结构包括在鳍的第一末端之上的第一隔离结构。栅极结构在所述鳍之上，并且沿着所述方向与第一隔离结构间隔开。第二隔离结构处于鳍的第二末端之上，第二末端与第一末端相对。将第二隔离结构与所述栅极结构间隔开。第一隔离结构和第二隔离结构二者都包括第一电介质材料，其侧向环绕与第一电介质材料不同的凹陷的第二电介质材料。所述凹陷的第二电介质材料侧向环绕与第一和第二电介质材料不同的第三电介质材料的至少一部分。

本发明授权用于先进的集成电路结构制造的鳍末端插塞结构在权利要求书中公布了：1.一种集成电路结构，包括： 包含硅的鳍，所述鳍具有顶部和侧壁，其中所述顶部具有沿着一方向的最长尺寸； 在所述鳍的第一末端之上的第一隔离结构，其中所述第一隔离结构的一部分位于所述鳍的顶部和侧壁的第一部分上，并且其中所述第一隔离结构的顶面位于所述鳍的所述顶部上方； 栅极结构，其包括在所述鳍的顶部之上并且与所述鳍的一区域的侧壁侧向相邻的栅电极，其中沿着所述方向将所述栅极结构与第一隔离结构间隔开；以及 在所述鳍的第二末端之上的第二隔离结构，第二末端与第一末端相对，其中所述第二隔离结构的一部分位于所述鳍的顶部和侧壁的第二部分上，沿着所述方向将第二隔离结构与所述栅极结构间隔开，其中所述第二隔离结构的顶面位于所述鳍的所述顶部上方，以及其中第一隔离结构和第二隔离结构二者都包括第一电介质材料，其侧向环绕与第一电介质材料不同的凹陷的第二电介质材料，所述凹陷的第二电介质材料侧向环绕与第一和第二电介质材料不同的第三电介质材料的至少一部分。

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