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龙图腾网获悉杰创半导体(苏州)有限公司;江西杰创半导体有限公司申请的专利一种高速防串扰集成芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120414265B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510929207.5，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种高速防串扰集成芯片及其制作方法是由祝进田设计研发完成，并于2025-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高速防串扰集成芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体开发技术领域，具体涉及一种高速防串扰集成芯片及其制作方法，在衬底上生长底层结构、波导层及光栅结构，在光栅结构表面并列生长激光器量子阱结构和调制器的量子阱结构，刻蚀掉调制器区和激光器区的两侧边缘部分，构造出波导台阶，并在波导台阶两侧填充生长电流阻挡层，在波导台阶顶部生长P型欧姆接触层，再次刻蚀调制器和激光器的两侧边缘部分直至暴露底层结构表面，形成芯片波导；分别制作激光器和调制器的电极；并通过减薄、解离形成Bar条，端面镀膜完成芯片制备。通过将激光器光栅制作在量子阱层的下方，设置沟槽将激光器和调制器断开，降低激光器的阈值电流，提高激光器的输出功率，避免激光器和调制器之间电信号串扰。

本发明授权一种高速防串扰集成芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高速防串扰集成芯片的制作方法，其特征在于，包括： 在衬底上通过外延生长获得底层结构，在底层结构上生长有波导层； 在波导层表面制作光栅结构，在光栅结构表面外延生长第一量子阱结构； 刻蚀掉部分的第一量子阱结构，并在刻蚀空留区域内外延生长第二量子阱结构， 第二量子阱结构和保留的第一量子阱结构沿长度方向前后并列设置，从上至下刻蚀直至暴露底层结构表面，刻蚀掉第一量子阱结构、第二量子阱结构、光栅层及波导层沿长度方向的两侧边缘部分，保留并列接触的中间区域，构造为波导台阶； 在刻蚀掉的两侧边缘部分，填充电流阻挡层，并在电流阻挡层上外延生长P型欧姆接触层； 从上至下刻蚀去除电流阻挡层和P型欧姆接触层的两侧边缘部分，保留并列接触的中间区域，构造出芯片波导；从上至下刻蚀沟槽，将芯片波导分为并列独立的激光器区和调制器区，且激光器区的长度大于调制器区的长度； 所述沟槽从上至下越过波导层直至暴露底层结构表面，且所述沟槽的长度不小于芯片波导的宽度； 所述激光器区的激光器波导结构靠近调制器区的端面和所述调制器区的调制器波导结构靠近激光器区的端面，其中至少一个端面构造为多斜面尖端结构，以避免信号在激光器和调制器之间来回传递； 刻蚀芯片波导构造独立的激光器波导和调制器波导； 所述调制器区的调制器波导结构靠近外部光纤的端面构造为多斜面尖端结构，以避免光信号在调制器和光纤之间来回传递； 分别制作激光器和调制器的电极，并通过后处理操作完成芯片制备。

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