中科院南京天文仪器有限公司郭鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉中科院南京天文仪器有限公司申请的专利一种基于双硅金键合MEMS变形镜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120405938B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510910349.7，技术领域涉及：G02B26/08；该发明授权一种基于双硅金键合MEMS变形镜及其制备方法是由郭鑫;李成;朱建勋设计研发完成，并于2025-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于双硅金键合MEMS变形镜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于双硅金键合MEMS变形镜及其制备方法，所述MEMS变形镜包括硅片衬底、氮化硅绝缘层、下层多晶硅电极、第一磷硅玻璃牺牲层、上层叉指电极、第一键合电极层、SOI片结构、第二键合电极层、金基反射镜面。其制备方法依次经过硅片衬底预处理、氮化硅绝缘层沉积、下层多晶硅电极形成、第一磷硅玻璃牺牲层沉积与减薄、上层叉指电极及相关结构刻蚀、第一键合电极层形成、SOI片预处理与溶液通道形成、第二磷硅玻璃牺牲层填充、第二键合电极层形成、金与金热压键合、深硅刻蚀、结构释放与退火处理、金基反射镜面制备与封装。本发明能够简化工艺流程，提升光学系统校正性能，具有广阔的市场应用前景。
本发明授权一种基于双硅金键合MEMS变形镜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于双硅金键合MEMS变形镜，其特征在于，包括硅片衬底、氮化硅绝缘层、下层多晶硅电极、第一磷硅玻璃牺牲层、原位掺杂多晶硅层、第一键合电极层、SOI片结构、第二键合电极层和金基反射镜面； 在所述硅片衬底上，由近及远依次设置氮化硅绝缘层、下层多晶硅电极、第一磷硅玻璃牺牲层、原位掺杂多晶硅层； 在原位掺杂多晶硅层上刻蚀形成上层叉指电极、应力释放孔和溶液导流沟槽； 所述第一键合电极层设置在上层叉指电极上； 所述SOI片结构设置在第一键合电极层上； 所述SOI片结构的顶层硅被刻蚀并图案化后形成溶液通道； 所述第二键合电极层设置在SOI片结构的顶层硅上； 所述第一键合电极层和第二键合电极层执行金与金键合，完成双面硅片连接； 所述SOI片结构经深硅刻蚀和结构释放后，SOI片结构的顶层硅背面形成镜面支撑层； 所述金基反射镜面设置在镜面支撑层上。
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