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龙图腾网获悉无锡中微爱芯电子有限公司申请的专利一种高电源抑制比的单端转差分放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120415339B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510900382.1，技术领域涉及：H03F1/30；该发明授权一种高电源抑制比的单端转差分放大器是由杨悦;权磊;李文嘉;罗晟;陈峰设计研发完成，并于2025-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高电源抑制比的单端转差分放大器在说明书摘要公布了：本发明属于模拟集成电路技术领域，特别涉及一种高电源抑制比的单端转差分放大器。包括第一级反相放大器、第二级反相放大器和带隙基准BG；电流镜电路，所述电流镜电路的输入端接入所述带隙基准BG的输出端，缓冲器BUF1，所述缓冲器BUF1的输入端接入所述带隙基准BG的输出端，所述缓冲器BUF1的输出端接入PMOS管PM1的源极；延时单元delay，所述延时单元delay的输入端与所述带隙基准BG的输入端相连并接入使能信号EN，所述延时单元delay的输出端接入PMOS管PM1的栅极。本发明提高了对电源纹波或干扰的抑制能力，使单端转差分放大器电路具有较高的电源抑制比。

本发明授权一种高电源抑制比的单端转差分放大器在权利要求书中公布了：1.一种高电源抑制比的单端转差分放大器，包括第一级反相放大器、第二级反相放大器和带隙基准BG；其特征在于，还包括： 电流镜电路，所述电流镜电路的输入端接入所述带隙基准BG的输出端，所述电流镜电路的输出端接入PMOS管PM1的漏极以及所述第一级反相放大器和所述第二级反相放大器的同相输入端；所述电流镜电路包括：PMOS管PM2~PM3、NMOS管NM1~NM2和电流源IB；所述电流源IB的一端与电源VCC相连，另一端与NMOS管NM1的漏极和NMOS管NM1~NM2的栅极相连，所述NMOS管NM1~NM2的源极接地GND；NMOS管NM2的漏极与PMOS管PM2的漏极和PMOS管PM2~PM3的栅极相连，所述PMOS管PM2~PM3的源极作为所述电流镜电路的输入端；PMOS管PM3的漏极作为所述电流镜电路的输出端； 缓冲器BUF1，所述缓冲器BUF1的输入端接入所述带隙基准BG的输出端，所述缓冲器BUF1的输出端接入PMOS管PM1的源极； 延时单元delay，所述延时单元delay的输入端与所述带隙基准BG的输入端相连并接入使能信号EN，所述延时单元delay的输出端接入PMOS管PM1的栅极。

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