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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种基于动态参数刻蚀与后处理的碳化硅刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120356825B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510857652.5，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权一种基于动态参数刻蚀与后处理的碳化硅刻蚀方法是由钟宇;苑登文;韩吉胜;徐现刚设计研发完成，并于2025-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于动态参数刻蚀与后处理的碳化硅刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于动态参数刻蚀与后处理的碳化硅刻蚀方法，属于微电子制作技术领域，在碳化硅衬底上沉积氧化硅层，匀胶显影形成光刻胶阻挡层；干法刻蚀获得垂直形貌的氧化硅层掩膜，去除表面光刻胶阻挡层；对衬底进行第一次垂直性刻蚀，更换为含氢元素刻蚀气体进行第二次优化刻蚀处理；在第二次优化基础上，固定含氢刻蚀气体流量，改变剩余种类气体比例并逐渐减小偏置功率，进行第三、四次优化刻蚀处理；去除剩余氧化硅层；在晶圆背面形成金属薄膜；退火处理，获得高质量刻蚀表面和圆弧状沟槽形貌。该方法简便易行，刻蚀表面质量高，界面陷阱数量少，底部沟槽形貌良好呈现圆弧状，避免了电场集中，器件电学性能更加优异。

本发明授权一种基于动态参数刻蚀与后处理的碳化硅刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种基于动态参数刻蚀与后处理的碳化硅刻蚀方法，其特征在于，步骤如下： S1：在碳化硅衬底上，采用等离子体化学气相沉积方式沉积氧化层； S2：在氧化层上旋涂光刻胶，经过曝光、显影、硬烘，形成光刻胶阻挡层； S3：对氧化层进行干法刻蚀，形成氧化层阻挡层； S4：氧等离子体干法去除氧化层上剩余的光刻胶阻挡层； S5：以刻蚀气体组合1采用电感耦合等离子刻蚀机方式刻蚀碳化硅，形成初始垂直碳化硅沟槽形貌，刻蚀深度=h1； S6：更换为含氢元素的混合刻蚀气体组合2，在S5基础上，对氧化硅-碳化硅样品进行初次优化刻蚀，刻蚀深度=h2； S7：在S6基础上，固定含氢刻蚀气体流量不变，减小刻蚀偏置功率并调整其他气体比例，对氧化层-碳化硅样品依次进行第二、第三次优化刻蚀，刻蚀深度分别为h3，h4； S8：通过湿法酸洗去除剩余氧化层阻挡层； S9：在碳化硅衬底背面，通过物理气相沉积方式沉积金属层； S10：将沟槽状碳化硅-金属样品在氮基氛围下高温退火处理； S11：退火后的样品依次在浓硫酸和过氧化氢、氢氟酸和去离子水中清洗。

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