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龙图腾网获悉广东长兴半导体科技有限公司申请的专利高效能引线键合技术在存储芯片封装中的应用方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120387419B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510846591.2，技术领域涉及：G06F30/3953；该发明授权高效能引线键合技术在存储芯片封装中的应用方法及系统是由张治强;郭东林;牛玉雷;张茜;杨师设计研发完成，并于2025-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本高效能引线键合技术在存储芯片封装中的应用方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及微电子封装技术领域，揭露了一种高效能引线键合技术在存储芯片封装中的应用方法及系统，包括：确定存储芯片的引线高能效条件，分析待选引线的引线性能，根据引线高能效条件和引线性能，从待选引线中筛选出存储芯片的高能效键合引线；计算高能效键合引线的弯曲半径、引线长度以及引线角度，构建高能效键合引线的引线成形控制模块；分析键合参数和键合效果的影响系数，构建高能效键合引线的键合参数优化模块；确定存储芯片的封装温度范围，监测存储芯片对应封装区域的实时温度数据，构建存储芯片和高能效键合引线的热管理模块；集成存储芯片的封装控制模块，执行存储芯片的封装控制。本发明可以提升存储芯片封装的效率和质量。

本发明授权高效能引线键合技术在存储芯片封装中的应用方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种高效能引线键合技术在存储芯片封装中的应用方法，其特征在于，所述方法包括： 明确存储芯片的封装需求，基于所述封装需求，确定所述存储芯片的引线高能效条件，获取所述存储芯片的待选引线，分析所述待选引线的引线性能，根据所述引线高能效条件和所述引线性能，从所述待选引线中筛选出所述存储芯片的高能效键合引线； 识别所述存储芯片的芯片焊盘位置和所述存储芯片对应封装基板的基板焊盘位置，根据所述芯片焊盘位置和所述基板焊盘位置，计算所述高能效键合引线的弯曲半径、引线长度以及引线角度，根据所述弯曲半径、所述引线长度以及所述引线角度，构建所述高能效键合引线的引线成形控制模块； 获取所述存储芯片的引线键合数据，识别所述引线键合数据中的键合参数和键合效果，基于所述引线键合数据，分析所述键合参数和所述键合效果的影响系数，根据所述影响系数，构建所述高能效键合引线的键合参数优化模块； 分析所述存储芯片的芯片热特性和高能效键合引线的引线热特性，根据所述芯片热特性和所述引线热特性，确定所述存储芯片的封装温度范围，构建所述存储芯片的封装温度监测单元，基于所述封装温度监测单元，实时监测所述存储芯片对应封装区域的实时温度数据，根据所述封装温度范围和所述实时温度数据，构建所述存储芯片和所述高能效键合引线的热管理模块； 根据所述引线成形控制模块、所述键合参数优化模块以及所述热管理模块，集成所述存储芯片的封装控制模块，基于所述封装控制模块，执行所述存储芯片的封装控制。

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