苏州元脑智能科技有限公司王天成获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州元脑智能科技有限公司申请的专利离子束刻蚀装置及参数分析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120356809B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510846460.4，技术领域涉及：H01J37/08；该发明授权离子束刻蚀装置及参数分析方法是由王天成;陈曦;王月设计研发完成，并于2025-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本离子束刻蚀装置及参数分析方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种离子束刻蚀装置及参数分析方法，涉及半导体技术领域，离子束刻蚀装置包括：成膜真空室、刻蚀离子源、试样载物装置、电场发生装置和磁场发生装置；成膜真空室提供稳定真空环境，刻蚀离子源产生高能离子束，试样载物装置位于刻蚀离子源的发射端的正下方的位置保证离子束垂直入射；磁场发生装置与电场发生装置协同工作，通过调整场强与方向调控离子的运动轨迹，优化离子束分布，使离子更精准地作用于样品表面，有效提高刻蚀均匀性和刻蚀效率。
本发明授权离子束刻蚀装置及参数分析方法在权利要求书中公布了：1.一种离子束刻蚀装置，其特征在于，包括：成膜真空室（101）、刻蚀离子源（102）、试样载物装置（103）、电场发生装置（104）和磁场发生装置（105）； 所述刻蚀离子源（102）固定设置于所述成膜真空室（101）内部，所述刻蚀离子源（102）用于在真空条件下产生刻蚀离子束； 所述试样载物装置（103）固定设置于所述成膜真空室（101）内部，位于所述刻蚀离子源（102）的发射端的正下方的位置； 所述电场发生装置（104）固定于所述试样载物装置（103）底部，所述电场发生装置（104）用于产生电场对离子束施加电场力改变离子运动方向； 所述磁场发生装置（105）套设于所述成膜真空室（101）外侧，所述磁场发生装置（105）用于与电场发生装置（104）共同作用改变离子的运动方向和轨迹；所述磁场发生装置（105）的中心高度为与所述试样载物装置（103）在同一水平高度或低于所述试样载物装置（103）水平高度。
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