福州大学张海忠获国家专利权
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龙图腾网获悉福州大学申请的专利一种具有NiO场限环和浮空场板复合终端结构的P-NiO/N-Ga2O3异质结二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120358756B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510837829.5，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权一种具有NiO场限环和浮空场板复合终端结构的P-NiO/N-Ga2O3异质结二极管及其制备方法是由张海忠;何烨;许晓锐;陈得森设计研发完成，并于2025-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有NiO场限环和浮空场板复合终端结构的P-NiO/N-Ga2O3异质结二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种具有NiO场限环和浮空场板复合终端结构的P‑NiON‑Ga2O3异质结二极管及其制备方法，包括自下而上依次层叠设置阴极金属层、高掺杂N型Ga2O3衬底、低掺杂N型Ga2O3外延层、氧化物介质层、P型NiO层、若干NiO场限环、阳极金属及阳极场板、若干浮空金属场板、钝化层；本技术方案旨在提供适用于Ga2O3功率器件的终端结构以使得Ga2O3功率器件具有较高的击穿电压。本发明的核心在于借助NiO场限环和浮空场板复合终端结构显著提高器件击穿电压，同时降低对加工工艺的依赖性。
本发明授权一种具有NiO场限环和浮空场板复合终端结构的P-NiO/N-Ga2O3异质结二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有NiO场限环和浮空场板复合终端结构的P-NiON-Ga2O3异质结二极管，其特征在于，包括自下而上依次层叠设置阴极金属层1、高掺杂N型Ga2O3衬底2、低掺杂N型Ga2O3外延层3、氧化物介质层4、P型NiO层51、若干NiO场限环52、阳极金属及阳极场板61、若干浮空金属场板62、钝化层7； 所述的阴极金属层1沉积在高掺杂N型Ga2O3衬底2的下表面；所述的氧化物介质层4等间距地分布在低掺杂N型Ga2O3外延层3的部分表面上；所述的P型NiO层51及若干NiO场限环52构成第一组合部5；所述第一组合部5等间距地分布在低掺杂N型Ga2O3外延层3的部分表面上，并与氧化物介质层4形成交替分布的结构；所述的阳极金属及阳极场板61覆盖在P型NiO层51的全部表面以及氧化物介质层4的部分表面上，若干浮空金属场板62等间距地分布在氧化物介质层4的部分表面以及NiO场限环52的全部表面上，构成第二组合部6；所述的钝化层7覆盖在氧化物介质层4和若干浮空金属场板62的全部表面以及阳极金属及阳极场板61的部分表面上。
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