合肥晶合集成电路股份有限公司郇小伟获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利图像传感器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120358812B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510840719.4，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权图像传感器及其形成方法是由郇小伟;汪勇设计研发完成，并于2025-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种图像传感器及其形成方法，衬底的正面形成多个沟槽组，每个沟槽组包括两个子沟槽；去除两个子沟槽之间的至少部分间隔，以使两个子沟槽连通形成一个沟槽，构成光电感应预留区；在光电感应预留区内形成光电转换结构；执行第三刻蚀工艺，沿衬底的背面刻蚀部分衬底暴露出光电转换结构的底部和部分侧壁，光电转换结构的底部构成陷光结构，相邻光电转换结构侧壁之间的区域构成隔离区域，其中，第三刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺。本发明意想不到的效果是，在同样像素面积的条件下，陷光结构增加了光电感应区面积，提升了图像传感器性能；湿法刻蚀工艺同时形成陷光结构和隔离区域，节省了工艺步骤并且避免了干法蚀刻工艺导致的晶格损伤。
本发明授权图像传感器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底包括相对设置的正面和背面； 执行第一刻蚀工艺，在所述衬底的正面形成多个沟槽组，每个所述沟槽组包括两个子沟槽，相邻所述沟槽组的间距大于组内两个所述子沟槽的间距； 执行第二刻蚀工艺，去除每个所述沟槽组内的两个所述子沟槽之间的至少部分间隔，以使每个所述沟槽组内的两个所述子沟槽连通形成一个沟槽，构成光电感应预留区； 形成光电转换结构，所述光电转换结构位于所述光电感应预留区内； 执行第三刻蚀工艺，沿所述衬底的背面刻蚀部分所述衬底暴露出所述光电转换结构的底部和部分侧壁，所述光电转换结构的底部构成陷光结构，相邻所述光电转换结构的侧壁之间的区域构成隔离区域，其中，所述第三刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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