无锡尚积半导体科技股份有限公司张陈斌获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡尚积半导体科技股份有限公司申请的专利一种PVD碳膜设备的颗粒控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120330673B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510830354.7，技术领域涉及：C23C14/56；该发明授权一种PVD碳膜设备的颗粒控制方法是由张陈斌;张超;葛青涛;欧阳军晨;宋永辉;王世宽设计研发完成，并于2025-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种PVD碳膜设备的颗粒控制方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种PVD碳膜设备的颗粒控制方法，包括以下步骤：步骤S1、在基底上溅射碳膜；步骤S2、在靶材表面形成一层碳化硅钝化层；步骤S3、碳膜颗粒与氧气反应并被清除；步骤S4、恢复靶材表面状态至初始状态；步骤S5、重复步骤S1‑S4。本发明在基底上溅射形成碳膜后，在靶材表面形成一层碳化硅钝化层，这使得通过氧气在等离子体中与碳颗粒发生反应时，碳靶本身不会发生反应而被消耗，可以有效降低靶面的消耗，若无钝化层，后续通入氧气与碳颗粒发生反应时则同样使得靶面被消耗。本发明的颗粒控制方法能够显著降低腔体内因溅射碳膜过程中真空腔体内逐渐积累的碳颗粒。
本发明授权一种PVD碳膜设备的颗粒控制方法在权利要求书中公布了：1.一种PVD碳膜设备的颗粒控制方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1、溅射碳膜：将基底传输至真空溅射腔体内的载台上，利用直流磁控溅射靶材，在基底上形成碳膜，将基底移出真空溅射腔体； 步骤S2、形成碳化硅钝化层：将非掺杂性纯硅片传输至所述载台上，对所述载台施加一定频率的射频功率P0，硅片原子逐渐被刻蚀出来，同时对所述靶材输入直流功率P1，使得硅原子与通过直流溅射出来的碳原子结合，溅射时间记为t1，溅射完成后在所述靶材表面形成一层碳化硅钝化层； 步骤S3、碳膜颗粒与氧气反应并被清除：对所述载台施加的射频功率和频率均保持不变，通入氧气与腔体内碳颗粒充分反应形成二氧化碳气体并被泵抽走； 步骤S4、恢复靶材表面状态：通过对所述靶材输入非对称式双极脉冲功率P2，且P2≥P1，溅射时间t2=t1，清除所述靶材表面的钝化层，靶材状态重新恢复至初始状态； 步骤S5、重复步骤S1-S4。
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