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龙图腾网获悉日月新半导体(威海)有限公司申请的专利一种功率器件的封装体及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120319668B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510803804.3，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权一种功率器件的封装体及其制备方法是由钱进;刘振东;田亚南设计研发完成，并于2025-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率器件的封装体及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种功率器件的封装体及其制备方法，涉及半导体技术领域，在本发明的功率器件的封装体的制备方法中，通过设置第一散热器包括导热基板本体、第一散热部、导热连接部以及第二导热部，所述导热连接部的一端连接所述导热基板本体，所述导热连接部的另一端连接所述第二导热部，将各第一散热器分别设置在相应的功率芯片上，且使得各第一散热器的第二导热部设置在存储芯片上。通过上述设置方式，大大降低了制造成本，改变了功率器件封装体的工作方式，有效提高了功率器件封装体的稳定性，且有效延长其使用寿命。

本发明授权一种功率器件的封装体及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率器件的封装体的制备方法，其特征在于：所述功率器件的封装体的制备方法包括以下步骤： 提供一导电电路基板，所述导电电路基板上设置多个导电焊盘； 在所述导电电路基板上设置存储芯片，在所述存储芯片的一侧设置第一功率芯片，在所述存储芯片的另一侧设置第二功率芯片； 形成第一封装层，所述第一封装层包裹所述存储芯片、所述第一功率芯片以及所述第二功率芯片； 对所述存储芯片的上表面进行刻蚀处理，以在所述存储芯片的所述上表面的一侧形成多个第一凹槽，并在所述存储芯片的所述上表面的另一侧形成多个第二凹槽； 接着在每个所述第一凹槽中设置第一导热块，并在每个所述第二凹槽中设置第二导热块； 提供两个第一散热器，所述第一散热器包括导热基板本体、第一散热部、导热连接部以及第二导热部，第一散热部设置在所述导热基板本体上，所述导热连接部的一端连接所述导热基板本体，所述导热连接部的另一端连接所述第二导热部； 将两个所述第一散热器分别设置在所述第一功率芯片以及所述第二功率芯片上，使得每个所述第一散热器的所述导热基板本体设置在相应的功率芯片上，且使得每个所述第一散热器的所述第二导热部设置在所述存储芯片上，其中，所述第一功率芯片上的所述第一散热器的所述第二导热部与所述第一导热块接触，且所述第二功率芯片上的所述第一散热器的所述第二导热部与所述第二导热块接触， 形成第二封装层，所述第二封装层包裹所述第一散热器的所述导热基板本体。

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