甬矽半导体(宁波)有限公司徐玉鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利2.5D封装结构和2.5D封装结构的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120319744B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510796599.2,技术领域涉及:H01L23/498;该发明授权2.5D封装结构和2.5D封装结构的制备方法是由徐玉鹏设计研发完成,并于2025-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本2.5D封装结构和2.5D封装结构的制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种2.5D封装结构和2.5D封装结构的制备方法,涉及芯片封装技术领域,该2.5D封装结构包括基底组合布线层、第一芯片、覆膜层、第二芯片和塑封层,基底组合布线层上设置有第一焊盘和第二焊盘,且第二焊盘的中部设置有对位凹槽;第一芯片贴合于第一焊盘;覆膜层至少覆盖在第一芯片的侧壁,且覆膜层部分覆盖在第二焊盘上,并设置有露出对位凹槽的开孔;第二芯片贴合于第二焊盘;塑封层设置在覆膜层上。相较于现有技术,本发明能够单独对第一芯片覆膜,同时冲孔形成露出对位凹槽的开孔,方便第二芯片对位贴装与第二焊盘,并使得第二芯片的第二导电凸起与对位凹槽接合实现电连接。从而避免同时对多个芯片覆膜带来负面问题。
本发明授权2.5D封装结构和2.5D封装结构的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种2.5D封装结构,其特征在于,包括: 基底组合布线层,所述基底组合布线层的一侧表面设置有第一贴装区域和第二贴装区域,另一侧表面设置有焊球,所述第二贴装区域位于所述第一贴装区域的至少一侧,所述第一贴装区域设置有第一焊盘,所述第二贴装区域设置有第二焊盘,且所述第二焊盘的中部设置有对位凹槽; 第一芯片,所述第一芯片贴合在所述第一贴装区域,且所述第一芯片的底侧设置有第一导电凸起,所述第一导电凸起对应贴合于所述第一焊盘; 覆膜层,所述覆膜层设置在所述基底组合布线层的一侧表面,并至少覆盖在所述第一芯片的侧壁,以使所述第一芯片和所述基底组合布线层的表面之间形成空腔,且所述覆膜层部分覆盖在所述第二焊盘上,并设置有露出所述对位凹槽的开孔; 第二芯片,所述第二芯片贴合在所述第二贴装区域,且所述第二芯片的底侧设置有第二导电凸起,所述第二导电凸起对应贴合于所述第二焊盘,并穿过所述开孔接合至所述对位凹槽; 塑封层,所述塑封层设置在所述覆膜层上,并包覆于所述第一芯片和所述第二芯片。
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