长春理工大学汪剑波获国家专利权
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龙图腾网获悉长春理工大学申请的专利一种调制器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120276177B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510781661.0，技术领域涉及：G02F1/015；该发明授权一种调制器及制备方法是由汪剑波;冯若男;谭勇;于淼;刘春宇;张烨;赵猛设计研发完成，并于2025-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种调制器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光学器件技术领域，具体涉及一种调制器及制备方法，一种调制器包括衬底层和在衬底层上交叉设置的n层SiO2层和n层GST层，其中衬底层上至底向上第一层为GST层；调制器中还包括设置n个GST层上对应布设的a个电极；a=n=3。交叉设置的n层SiO2层和n层GST层从上至下分别为：第三SiO2层、第三GST层、第二SiO2层、第二GST层、第一SiO2层以及第一GST层。本发明通过逐层对GST层相变结晶化，使调制器在红外波段的透射率逐渐降低，调制深度也成阶梯式变化，全晶态与全非晶态GST结构对应的调制深度高于80%。
本发明授权一种调制器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种调制器，其特征在于，包括衬底层和在衬底层上交叉设置的n层SiO2层和n层GST层，其中衬底层上至底向上第一层为GST层；调制器中还包括设置n个GST层上对应布设的a层电极； 具体地：n=a=3，交叉设置的n层SiO2层和n层GST层从上至下分别为：第三SiO2层、第三GST层、第二SiO2层、第二GST层、第一SiO2层以及第一GST层，且高度自下而上分别为50nm、150nm、50nm、50nm、150nm、50nm。
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