苏州晨晖智能设备有限公司闫洪嘉获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晨晖智能设备有限公司申请的专利一种直拉法连续加料生长硅单晶的第一坩埚及其熔料和拉晶装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120273017B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510773014.5，技术领域涉及：C30B15/12；该发明授权一种直拉法连续加料生长硅单晶的第一坩埚及其熔料和拉晶装置是由闫洪嘉;李涛勇设计研发完成，并于2025-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种直拉法连续加料生长硅单晶的第一坩埚及其熔料和拉晶装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种直拉法连续加料生长硅单晶的第一坩埚及其熔料和拉晶装置。第一坩埚的主体在x‑y平面呈环形，并设有一个或多个z向开口、在水平面截面呈环形或环缺形的料槽，在料槽下方配备多条向下的疏流通道，疏流通道与料槽结合部附近设有过滤孔板。该设计具备诸多优势：系统热效率高，熔料坩埚与拉晶坩埚上下紧临，消除内层石英隔壁热阻，降低能耗；熔硅氧含量低，通过优化坩埚温度场、控制熔体对流、扩大自由液面促进氧挥发，并配合分段加热实现精准调控；工艺参数独立可调，两坩埚分层设计使二者相互干扰小；拉晶稳定性高，大熔硅液面促进杂质颗粒挥发，疏流通道延长迁徙路径和过滤孔板阻挡作用有效抑制晶变缺陷。
本发明授权一种直拉法连续加料生长硅单晶的第一坩埚及其熔料和拉晶装置在权利要求书中公布了：1.一种直拉法连续加料生长硅单晶的熔料和拉晶装置，其特征在于，包括第一坩埚、第二坩埚、加料管道、碳质埚帮、碳质埚底、第二加热器和导流控温屏；其中熔料的第一坩埚位于拉晶的第二坩埚之上，所述第一坩埚与所述第二坩埚同轴布置，所述第一坩埚的主体在x-y平面截面呈环形，所述环形包括类圆形环、类椭圆形环或类多边形环，所述第一坩埚设有一个或多个z向开口、在水平面截面呈环形或环缺形的料槽，所述料槽在熔硅自由液面之上，在所述料槽下方设有至少一条向下的疏流通道，所述疏流通道与料槽结合部附近设有过滤孔板；所述料槽外底部与所述第二坩埚上沿在z方向上的间距小于150mm；所述料槽内环边外壁为在xoz截面上呈斜线或弧线的气流导流面，所述斜线或弧线自下而上的倾角α为20°~85°。
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