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龙图腾网获悉江苏应能微电子股份有限公司申请的专利一种沟槽式功率金氧半场效晶体管及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120282541B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510774266.X，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种沟槽式功率金氧半场效晶体管及其制备工艺是由李振道;孙明光;朱伟东设计研发完成，并于2025-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽式功率金氧半场效晶体管及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件领域，公开了一种沟槽式功率金氧半场效晶体管及其制备工艺，包括以下步骤：S1：以布植方式完成第二导电类型Body层，并在主动区内完成第一导电类型Body层、若干沟槽Ⅰ以及在终端区内完成沟槽Ⅱ；S2：在栅极氧化层表面填充第一导电类型多晶硅；S3：对第一导电类型多晶硅进行干蚀刻，使得沟槽Ⅱ内的凹洞Ⅱ延伸至底部的栅极氧化层；S4：在第一导电类型多晶硅表面填充第二导电类型多晶硅；S5：对第二导电类型多晶硅进行湿蚀刻，使得第二导电类型多晶硅仅填充在凹洞Ⅱ；S6：在器件表面依次制作层间介质层、栅极金属和源极金属。本发明可以在不额外多出一道光罩成本的前提下，形成NPN的栅源端静电保护设计，从而实现器件的ESD保护。

本发明授权一种沟槽式功率金氧半场效晶体管及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种沟槽式功率金氧半场效晶体管的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1：在第一导电类型外延层以布植方式完成第二导电类型Body层，并在主动区内完成第一导电类型Body层、若干沟槽Ⅰ（003a）以及在终端区内完成沟槽Ⅱ（003b）； S2：以900~1100℃的温度在器件表面形成栅极氧化层（004），并在栅极氧化层（004）表面填充第一导电类型多晶硅，在沟槽Ⅰ（003a）上方的第一导电类型多晶硅表面形成凹洞Ⅰ（005a），在沟槽Ⅱ（003b）内第一导电类型多晶硅表面形成凹洞Ⅱ（005b）； S3：对第一导电类型多晶硅进行干蚀刻，使得沟槽Ⅱ（003b）内的凹洞Ⅱ（005b）延伸至底部的栅极氧化层（004），将其两侧的第一导电类型多晶硅分断； S4：在第一导电类型多晶硅表面填充第二导电类型多晶硅，并在沟槽Ⅱ（003b）上方的第二导电类型多晶硅表面形成凹洞Ⅲ（005c）； S5：对第二导电类型多晶硅进行湿蚀刻，使得第二导电类型多晶硅仅填充在凹洞Ⅱ（005b），确保第一导电类型多晶硅表面去除第二导电类型多晶硅； S6：在器件表面依次制作层间介质层（007）、栅极金属（009a）和源极金属（009b），得到沟槽式功率金氧半场效晶体管。

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