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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利一种SiC外延垂直反应室结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120250148B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510717181.8，技术领域涉及：C30B25/08；该发明授权一种SiC外延垂直反应室结构是由刘欣;彭定强;谢利华设计研发完成，并于2025-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC外延垂直反应室结构在说明书摘要公布了：本申请涉及SiC外延技术领域，主要涉及一种SiC外延垂直反应室结构，包括：衬管，形状为两端开口的圆筒结构，一端用于供工艺气体进入，另一端用于供工艺气体流出；工艺管，形状为仅有一端开口的套筒结构，开口向下套设在衬管外，工艺管与衬管之间形成供工艺气体通过的夹层；晶圆舟架，设置在衬管内，用于承载多层晶圆；供气组件，用于向衬管输送工艺气体；加热组件，设置在工艺管外，用于加热晶圆舟架。本申请通过将能承载多层晶圆的晶圆舟架设置在衬管内，供气组件向衬管通入工艺气体，加热组件加热衬管，可在多层晶圆上进行外延SiC，工艺气体再从衬管和工艺管之间的夹层顺利流出。该结构可显著提升SiC外延的生产效率并降低外延成本。

本发明授权一种SiC外延垂直反应室结构在权利要求书中公布了：1.一种SiC外延垂直反应室结构，其特征在于，包括： 衬管（100），形状为两端开口的圆筒结构，一端用于供工艺气体进入，另一端用于供工艺气体流出； 工艺管（200），形状为仅有一端开口的套筒结构，开口向下套设在所述衬管（100）外，所述工艺管（200）与所述衬管（100）之间形成供工艺气体通过的夹层； 晶圆舟架（300），设置在所述衬管（100）内，用于承载多层晶圆； 供气组件，用于向所述衬管（100）输送工艺气体； 加热组件（400），设置在所述工艺管（200）外，用于加热所述晶圆舟架（300）； 所述晶圆舟架（300）包括： 底板（310），形状为圆盘结构； 顶板（320），形状为圆盘结构，设置在所述底板（310）的上方； 立柱（330），所述立柱（330）的内侧上沿延伸方向均匀形成多个晶圆放置槽（331），所述立柱（330）的底端与所述底板（310）可拆卸连接，所述立柱（330）的顶端与所述顶板（320）可拆卸连接； 所述底板（310）和所述顶板（320）的中部开设有供工艺气体通过的通孔； 所述SiC外延垂直反应室结构还包括旋转组件，用于驱动所述晶圆舟架（300）沿所述底板（310）的周向旋转； 所述晶圆放置槽（331）包括用于放置晶圆的放置面（332），所述放置面（332）靠近晶圆中部的一端设置有向下倾斜的第一斜面（333），所述放置面（332）远离晶圆中部的一端设置有向上倾斜的第二斜面（334），所述第二斜面（334）的顶端用于与晶圆的底面边缘相抵接。

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