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龙图腾网获悉北京青耘科技有限公司申请的专利用于测量晶圆键合强度的半导体结构及测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120184034B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510660361.7，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权用于测量晶圆键合强度的半导体结构及测量方法是由缪威设计研发完成，并于2025-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于测量晶圆键合强度的半导体结构及测量方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种用于测量晶圆键合强度的半导体结构及测量方法，所述测量方法：在第一晶圆内形成贯穿部分第一侧面和部分第一键合面的第一测量通道，在第二晶圆内形成贯穿部分第二侧面和部分第二键合面第二测量通道；将第一晶圆和第二晶圆通过第一键合层和第二键合层进行键合后，第一测量通道和第二测量通道在第一键合面上的投影重合；测量刀具穿过第一测量通道和第二测量通道，插入第一目标位置和第二目标位置之间，使第一晶圆的第一目标位置和第二晶圆的第二目标位置之间产生裂纹，通过测量裂纹的长度，基于长度计算获得第一晶圆的第一目标位置和第二晶圆的第二目标位置之间的键合强度。实现对键合晶圆的键合面的中心区域的键合强度进行测量。

本发明授权用于测量晶圆键合强度的半导体结构及测量方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆键合强度的测量方法，其特征在于，包括： 提供第一晶圆，所述第一晶圆包括第一侧面及相背离的第一键合面和第一背面； 提供第二晶圆，所述第二晶圆包括第二侧面及相背离的第二键合面和第二背面； 在所述第一晶圆内形成第一测量通道，所述第一测量通道贯穿部分所述第一侧面及部分所述第一键合面，并由所述第一侧面延伸至所述第一键合面上的第一目标位置； 在所述第二晶圆内形成第二测量通道，所述第二测量通道贯穿部分所述第二侧面和部分所述第二键合面，并由所述第二侧面延伸至所述第二键合面上的第二目标位置； 在所述第一晶圆的第一键合面和第一测量通道上形成第一键合层； 在所述第二晶圆的第二键合面和第二测量通道上形成第二键合层； 将所述第一键合层和所述第二键合层键合，所述第一测量通道和所述第二测量通道在所述第一键合面上的投影重合； 提供测量刀具，控制所述测量刀具穿过所述第一测量通道和所述第二测量通道后，插入所述第一目标位置和所述第二目标位置之间，使得所述第一晶圆和所述第二晶圆之间产生裂纹； 测量所述裂纹的长度，采用裂纹传播法基于所述长度计算获得所述第一目标位置和所述第二目标位置之间的键合强度。

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