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龙图腾网获悉长园半导体设备(珠海)有限公司申请的专利晶圆加热盘及半导体生产线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119852233B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510330750.3，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权晶圆加热盘及半导体生产线是由陈有亮;彭博;邓章;赖俊魁;颜智德;廖广兰;宿磊设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆加热盘及半导体生产线在说明书摘要公布了：本申请公开了一种晶圆加热盘及半导体生产线，属于半导体加工领域。晶圆加热盘包括真空吸附平台、加热平台、隔热平台、抽气接头和控制器。真空吸附平台设有真空凹槽，且其下表面设有加热平台。隔热平台有第一和第二隔热层，第二隔热层沿边缘设有多个弹簧压块，弹簧压块一端抵接真空吸附平台上表面。第一、第二隔热层分别用于隔热和散热，弹簧压块限制真空吸附平台受热膨胀。各平台及隔热层分别设有对应的第一、第二、第三、第四通道，形成真空通道，真空凹槽与真空通道连通，第四通道的一端连接抽气接头。控制器连接加热平台与抽气接头，用于调节加热状态和真空通道内气压，本申请能增加高温条件下晶圆加热盘表面的平整度，提升键合效果。

本发明授权晶圆加热盘及半导体生产线在权利要求书中公布了：1.一种晶圆加热盘，其特征在于，包括： 真空吸附平台，所述真空吸附平台设置有至少一个真空凹槽，所述真空吸附平台的上表面用于放置晶圆； 加热平台，所述加热平台设置于所述真空吸附平台的下表面； 隔热平台，所述隔热平台包括第一隔热层和第二隔热层，第一隔热层设置于所述加热平台的下表面，所述第二隔热层设置于所述第一隔热层的下表面，所述第二隔热层沿边缘处间隔设置有若干弹簧压块，所述弹簧压块的一端与所述真空吸附平台的上表面抵接，所述第一隔热层用于减少所述加热平台的热量外泄，所述第二隔热层用于散发所述第一隔热层的多余热量，所述弹簧压块用于限制所述真空吸附平台在受热时的膨胀程度； 所述第二隔热层沿边缘处间隔设置有若干凸块，所述弹簧压块设置于所述凸块的上表面，所述弹簧压块包括固定部、活动部和弹簧，所述固定部的顶部设置为限位块，所述限位块的下表面设置有连接杆，所述连接杆的截面小于所述限位块的截面，所述固定部的底部与所述凸块的上表面连接，所述活动部的顶部凸出设置形成凸出部，所述凸出部与所述真空吸附平台的上表面抵接，所述活动部的顶部凹陷设置形成第一限位槽，所述第一限位槽的截面与所述限位块的截面相匹配，所述第一限位槽的底部凹陷设置形成连接通道，所述连接通道的截面小于所述第一限位槽的截面，且与所述连接杆的截面相匹配，所述弹簧的第一端与所述限位块的下表面抵接，所述弹簧的第二端与所述第一限位槽的上表面抵接； 抽气接头，所述真空吸附平台、所述加热平台、所述第一隔热层、所述第二隔热层分别设置有对应连通的第一通道、第二通道、第三通道、第四通道，从而组合形成真空通道，每个所述真空凹槽至少与一个所述真空通道连通，所述第四通道远离所述第三通道的一端与所述抽气接头连接； 控制器，所述控制器分别与所述加热平台连接、通过气管与所述抽气接头连接，所述控制器用于控制所述加热平台的加热状态和控制所述真空通道内的气压状况。

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