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龙图腾网获悉深圳市深鸿盛电子有限公司申请的专利基于MOS管的自适应偏置电压优化方法及相关设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119814011B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510294734.3，技术领域涉及：H03K17/082；该发明授权基于MOS管的自适应偏置电压优化方法及相关设备是由张西刚;李杲宇设计研发完成，并于2025-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于MOS管的自适应偏置电压优化方法及相关设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于MOS管的自适应偏置电压优化方法相关设备，应用于栅极驱动电路，包括以下步骤：对栅极驱动电路工作状态下的目标MOS管进行实时监测，得到目标MOS管的工作参数；基于预设的偏置电压需求预测模型，基于所述工作参数对所述目标MOS管进行偏置电压需求预测，得到偏置电压需求值；对所述偏置电压需求值进行数字化信号处理，以转化为控制信号；将所述控制信号施加在所述目标MOS管的栅极上，以动态调整所述目标MOS管的工作状态，解决了在极端条件下，如高温或重载情况下，固定偏置电压可能导致MOS管过热或开关损耗增加的技术问题。

本发明授权基于MOS管的自适应偏置电压优化方法及相关设备在权利要求书中公布了：1.一种基于MOS管的自适应偏置电压优化方法，其特征在于，应用于栅极驱动电路，包括以下步骤： 对栅极驱动电路工作状态下的目标MOS管进行实时监测，得到目标MOS管的工作参数； 基于预设的偏置电压需求预测模型，基于所述工作参数对所述目标MOS管进行偏置电压需求预测，得到偏置电压需求值； 对所述偏置电压需求值进行数字化信号处理，以转化为控制信号； 将所述控制信号施加在所述目标MOS管的栅极上，以动态调整所述目标MOS管的工作状态； 所述对栅极驱动电路工作状态下的目标MOS管进行实时监测，得到目标MOS管的工作参数，包括： 对栅极驱动电路工作状态下的所述目标MOS管的栅极电压、漏极电压和漏极电流进行同步采样，得到原始电气信号数据集，所述电路工作状态包括目标MOS管的开启、放大及截止； 对所述原始电气信号数据集进行时序处理，得到目标MOS管的开关频率和占空比信息； 对所述目标MOS管进行表面温度扫描，以计算所述目标MOS管的结温数据； 采用滑动窗口法，基于所述开关频率、占空比信息和结温数据计算所述目标MOS管在不同时间段的运行参数统计值；其中，所述运行参数统计值包括平均栅源电压、平均漏源电压和平均漏极电流； 基于所述原始电气信号数据集、开关频率、占空比信息、结温数据及参数统计值设定标准偏置电压，并将所述原始电气信号数据集、开关频率、占空比信息、结温数据、参数统计值及标准偏置电压作为目标MOS管的工作参数。

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