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龙图腾网获悉广东省科学院半导体研究所申请的专利一种带隙基准电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119717991B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510156364.7，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种带隙基准电路是由王玺;刘大伟;范建林;庄巍;田仁宽;余璐洋;庞凯悦;黄鸿程;严飚;李纪洲;赵维佳设计研发完成，并于2025-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带隙基准电路在说明书摘要公布了：本申请提供了一种带隙基准电路，涉及集成电路技术领域，带隙基准电路包括：核心电路、负温度电流提取电路、高阶调制处理电路和输出电路。核心电路用于产生X点电压、无基极电流的正温度系数PTAT电流以及混合有基极电流的负温度系数CTAT电流。其中，X点电压为核心电路中流过PTAT电流的三极管的基极‑发射极电压。负温度电流提取电路用于依据X点电压抽取出无基极电流的CTAT电流。高阶调制处理电路用于根据核心电路提供的X点电压和PTAT电流、负温度电流提取电路提供的CTAT电流生成经过高阶调制、且消除基极电流影响后的带隙基准电流。输出电路用于将带隙基准电流转换为带隙基准电压后输出。

本发明授权一种带隙基准电路在权利要求书中公布了：1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括：核心电路、负温度电流提取电路、高阶调制处理电路和输出电路； 所述负温度电流提取电路的第一端口、所述高阶调制处理电路的第一端口均连接于所述核心电路中的X点，所述高阶调制处理电路的第二端口和第三端口分别与所述负温度电流提取电路的第二端口和所述核心电路的第一端口连接，所述高阶调制处理电路的输出端与所述输出电路连接； 所述核心电路用于产生X点电压、无基极电流的正温度系数PTAT电流以及混合有基极电流的负温度系数CTAT电流；其中，所述X点电压为所述核心电路中流过所述PTAT电流的三极管的基极-发射极电压； 所述负温度电流提取电路用于依据所述X点电压抽取出无基极电流的CTAT电流； 所述高阶调制处理电路用于根据所述核心电路提供的X点电压和PTAT电流、所述负温度电流提取电路提供的CTAT电流生成经过高阶调制、且消除基极电流影响后的带隙基准电流； 所述输出电路用于将所述带隙基准电流转换为带隙基准电压后输出； 所述核心电路包括：Q0管、Q1管、Q2管、Q3管、Q4管、PM0管、PM1管、PM2管、PM3管、PM23管、PM24管、PM25管、NM4管、电阻R0、电阻R1和第一级联MOS管； 其中，Q0管、Q1管、Q2管、Q3管和Q4管均为NPN三极管，且Q0管的并联数大于Q1管的并联数；PM0管、PM1管、PM2管、PM3管、PM23管、PM24管和PM25管均为PMOS管，NM4管为NMOS管； PM0管、PM1管、PM2管、PM3管和第一级联MOS管的源极均接供电电源，PM25管、PM24管和PM23管的源极分别与PM3管、PM0管和PM2管的漏极连接，PM25管、PM24管和PM23管的栅极均与第一级联MOS管的栅极连接；PM3管的栅极、PM0管的栅极和PM23管的漏极均与PM2管的栅极连接；其中，PM2管的栅极作为所述核心电路的第一端口； PM25管的漏极与Q3管的集电极连接，PM24管的漏极分别与PM1管的栅极和Q0管的集电极连接，PM23管的漏极还与NM4管的漏极连接，NM4管的栅极与Q3管的集电极连接，NM4管的源极分别与Q3管的基极和Q2管的集电极连接，第一级联MOS管的漏极与Q4管的集电极连接； Q0管、Q1管、Q2管、Q3管、Q4管的发射极均接地，Q1管、Q2管和Q4管的基极均连接于所述X点，Q1管的集电极分别与Q0管的基极和电阻R0的一端连接，电阻R0的另一端分别与PM1管的漏极和所述X点连接，电阻R1的一端接地，电阻R1的另一端连接于所述X点。

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