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龙图腾网获悉北京特思迪半导体设备有限公司申请的专利基于抛光过程的单波长光束测厚、标定库构建方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119526258B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510099536.1，技术领域涉及：B24B37/013；该发明授权基于抛光过程的单波长光束测厚、标定库构建方法及设备是由周惠言;孟炜涛;孙昕宇;蒋继乐设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于抛光过程的单波长光束测厚、标定库构建方法及设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于抛光过程的单波长光束测厚、标定库构建方法及设备，所述标定库构建方法包括：在晶圆薄膜的抛光过程中利用多波长光束在线原位测量所述晶圆薄膜的厚度，并在多个不同厚度下获取所述晶圆薄膜对单波长光束的反射光的光强度对应的电信号；基于所述电信号随着晶圆薄膜厚度的变化呈现的周期性规律以及所述多个不同厚度对应的电信号的值，确定用于所述抛光过程中测量晶圆薄膜厚度的标定库。

本发明授权基于抛光过程的单波长光束测厚、标定库构建方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种基于单波长光束测量晶圆薄膜厚度的方法，其特征在于，包括： 在晶圆薄膜的抛光过程中，确定启用单波长光束测量时所述晶圆薄膜的起始厚度，进而开始监测所述晶圆薄膜对单波长光束的反射光的光强度对应的电信号； 利用构建的标定库、监测得到的电信号的值和所述起始厚度确定晶圆薄膜的厚度，其中，构建所述标定库具体为：在晶圆薄膜的抛光过程中利用多波长光束在线原位测量所述晶圆薄膜的厚度，并在多个不同厚度下获取所述晶圆薄膜对单波长光束的反射光的光强度对应的电信号； 基于所述电信号随着晶圆薄膜厚度的变化呈现的周期性规律以及所述多个不同厚度对应的电信号的值，确定用于所述抛光过程中测量晶圆薄膜厚度的标定库，进一步包括：利用至少两个不同厚度及相应的电信号的值，确定电信号与厚度的对应关系模型作为所述标定库； 或者，根据所述电信号的周期确定采样范围，所述采样范围大于或等于半个所述周期，在所述晶圆薄膜的厚度在所述采样范围内时采集所述电信号，从而得到任意厚度范围与电信号的对应数据作为所述标定库； 或者，随着所述晶圆薄膜的厚度变化实时采集所述电信号，监测采集的所述电信号中是否依次出现至少两个极值，所述至少两个极值之间的电信号为至少半个周期的电信号，从而得到任意厚度范围与电信号的对应数据作为所述标定库。

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