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龙图腾网获悉池州市正盛半导体有限公司申请的专利引线框架表面贴装金属氧化物变阻器器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119724787B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411918989.4，技术领域涉及：H01C7/12；该发明授权引线框架表面贴装金属氧化物变阻器器件是由郑思海;朱东晖;颜聪设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本引线框架表面贴装金属氧化物变阻器器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种引线框架表面贴装金属氧化物变阻器器件，包括上壳体、下壳体和MOV芯片主体，上壳体和下壳体连接内部形成有密闭的空腔，MOV芯片主体设置在空腔内部，MOV芯片主体两侧分别设置有电极端，下壳体下端对应两组电极端分别开设有两组贴片安装槽，贴片安装槽内部安装有贴片，两组贴片分别依次通过支脚、电极引线与对应的电极端连接，MOV芯片主体外侧依次设置有第一导热层、微流道散热器和第二导热层，第二导热层远离微流道散热器的一侧与上壳体和下壳体连接内部形成的空腔内壁连接。本发明通过第一导热层将MOV芯片主体上产生的热量传递给微流道散热器，通过微流道散热器内部设置的微流道将热量迅速从热源带走，避免局部过热造成芯片损坏。

本发明授权引线框架表面贴装金属氧化物变阻器器件在权利要求书中公布了：1.一种引线框架表面贴装金属氧化物变阻器器件，其特征在于：包括上壳体1、下壳体2和MOV芯片主体4，所述上壳体1和所述下壳体2连接内部形成有密闭的空腔，所述MOV芯片主体4设置在所述空腔内部，所述MOV芯片主体4两侧分别设置有电极端，所述下壳体2下端对应两组电极端分别开设有两组贴片安装槽，所述贴片安装槽内部安装有贴片6，两组所述贴片6分别依次通过支脚3、电极引线5与对应的电极端连接，所述MOV芯片主体4外侧依次设置有第一导热层7、微流道散热器14和第二导热层9，所述第二导热层9远离所述微流道散热器14的一侧与所述上壳体1和所述下壳体2连接内部形成的空腔内壁连接； 所述上壳体1和所述下壳体2连接形成的空腔内部设有气体膨胀腔12，所述膨胀腔12内部设有缓冲层安装腔，所述缓冲层安装腔内部设有缓冲层11，所述缓冲层11上端设有挤压板13，所述挤压板13与所述缓冲层安装腔的内壁可滑动连接； 所述缓冲层安装腔位于所述微流道散热器14的上端，所述微流道散热器14靠近所述缓冲层安装腔一侧的微流道15侧壁开设有多组通孔16，所述挤压板13对应所述通孔16位置处安装有微凸柱18，所述微凸柱18远离所述挤压板13的一端穿过所述缓冲层11设置在所述通孔16的上端。

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