甘肃省科学院传感技术研究所员朝鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉甘肃省科学院传感技术研究所申请的专利一种Si基复合微结构光电探测器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584725B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411897836.6，技术领域涉及：H10F77/70；该发明授权一种Si基复合微结构光电探测器及其形成方法是由员朝鑫;谢明玲;宋成君;李涛;赵季杰;高晓平;何开宙设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Si基复合微结构光电探测器及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Si基复合微结构光电探测器及其形成方法，涉及光电探测技术领域。Si基复合微结构光电探测器包括信号采集第一端子、光增强吸收微结构和光可透过信号采集第二端子。增强光吸收微结构由短波段可见光增强吸圆形光敏感区、中波段可见光增强吸收内环光敏感区和长波段可见光增强吸收外环光敏感区构成。本发明设计了具有鹰眼仿生结构的复合光敏感单元，通过调控微结构中呈杆状、棱台状、锥状外形的亚单元几何外形和排列方式，实现不同波段光的低反射和高吸收，从而提高光电探测器的光响应特性。
本发明授权一种Si基复合微结构光电探测器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种Si基复合微结构光电探测器，所述Si基复合微结构光电探测器包括信号采集第一端子（301）、不同波长可见光增强吸收微结构单元（401）和光可透过的信号采集第二端子（302）；其特征在于，增强光吸收微结构单元包括短波段可见光增强吸收中心光敏感区（101）、中波段可见光增强吸收内环光敏感区（102）和长波段可见光增强吸收外环光敏感区（103），三个光敏感区由内向外呈逐次套接；信号采集第一端子（301）位于增强吸收微结构单元（401）外侧，信号采集第二端子（302）覆盖于增强吸收复合微结构单元上方； 增强吸收复合微结构单元采用ICP-RIE和可变角度IBE相结合的刻蚀工艺形成，且从中心光敏感区（101）至外环光敏感区（103）的微结构亚单元密度依次变小、微结构体积依次变大； 所述短波段可见光增强吸收中心光敏感区（101）的微结构由呈锥状亚单元阵列构成；所述中波段可见光增强吸收内环光敏感区（102）的微结构由呈棱台状亚单元阵列构成；所述长波段可见光增强吸收外环光敏感区（103）的微结构由呈杆状亚单元阵列构成。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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