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龙图腾网获悉联和存储科技(江苏)有限公司申请的专利降低阈值电压分布的闪存单元擦除方法、装置和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119883114B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411891987.0，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权降低阈值电压分布的闪存单元擦除方法、装置和存储介质是由徐明揆;黄新运;高伟设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本降低阈值电压分布的闪存单元擦除方法、装置和存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开一种降低阈值电压分布的闪存单元擦除方法、装置和存储介质，方法包括：根据擦除指令，获取待擦除存储块的编程闪存单元和擦除闪存单元；对编程闪存单元进行抑制处理和对擦除闪存单元进行预编程处理，得到处理后的待擦除存储块；对处理后的待擦除存储块进行擦除操作功。本发明通过对编程闪存单元进行抑制处理，再对擦除闪存单元进行预编程处理；使得编程闪存单元不受擦除过程影响，令编程闪存单元的阈值电压不变，从而降低阈值电压分布范围。

本发明授权降低阈值电压分布的闪存单元擦除方法、装置和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种降低阈值电压分布的闪存单元擦除方法，其特征在于，所述降低阈值电压分布的闪存单元擦除方法包括： 根据擦除指令，获取待擦除存储块的编程闪存单元和擦除闪存单元； 对所述编程闪存单元进行抑制处理和对所述擦除闪存单元进行预编程处理，得到处理后的待擦除存储块； 对所述处理后的待擦除存储块进行擦除操作； 所述获取待擦除存储块的编程闪存单元和擦除闪存单元，包括： 读取所述待擦除存储块中各闪存单元的当前状态，其中，当前状态包括编程状态和擦除状态； 若所述闪存单元的所述当前状态为所述编程状态，则确定所述闪存单元为编程闪存单元； 若所述闪存单元的所述当前状态为所述擦除状态，则确定所述闪存单元为擦除闪存单元； 所述对所述编程闪存单元进行抑制处理和对所述擦除闪存单元进行预编程处理，包括： 对所述编程闪存单元的所述编程状态进行所述抑制处理，使所述编程闪存单元的所述编程状态被抑制； 对所述擦除闪存单元的所述擦除状态进行所述预编程处理，使所述擦除闪存单元从所述擦除状态转为所述编程状态； 其中，NANDFLASH包括多个存储块，存储块包括多个闪存单元，待擦除存储块是等待擦除的存储块，NANDFLASH对任一存储块执行擦除操作时，存储块中编程闪存单元和擦除闪存单元并存。

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