温州大学激光与光电智能制造研究院袁江锴获国家专利权
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龙图腾网获悉温州大学激光与光电智能制造研究院申请的专利复合敏感传感器芯片集成与封装自动化系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119528085B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411676918.8,技术领域涉及:B81C1/00;该发明授权复合敏感传感器芯片集成与封装自动化系统是由袁江锴;李峰平;彭志辉;周晨;周斯加;黄继宝;康蕊;王权设计研发完成,并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本复合敏感传感器芯片集成与封装自动化系统在说明书摘要公布了:本发明涉及传感器芯片集成技术领域,具体地说,涉及复合敏感传感器芯片集成与封装自动化系统。其包括位置布局单元、距离噪声单元、干扰优化单元和集成封装单元。本发明的芯片布局模块通过视觉技术获取硅片、压力、流量和温度传感器芯片的尺寸与压力、流量和温度传感器芯片的中心位置,根据硅片和压力、流量、温度感器芯片的尺寸计算压力、流量和温度传感器芯片布局在单硅片上的位置,通过计算合理的布局位置,可以最大化利用硅片的可用面积,减少浪费情况,并提高了生产效率和成本的降低,同时合理的位置布局使多种传感器芯片更易于集成到更小、更轻的材料中,从而提高了实用性。
本发明授权复合敏感传感器芯片集成与封装自动化系统在权利要求书中公布了:1.复合敏感传感器芯片集成与封装自动化系统,其特征在于:包括位置布局单元(1)、距离噪声单元(2)、干扰优化单元(3)和集成封装单元(4); 所述位置布局单元(1)获取硅片和压力、流量、温度传感器芯片的尺寸与压力、流量和温度传感器芯片的中心位置,并获取历史数据,历史数据包括电源线布局的位置、真空电容率、介电常数,根据硅片和压力、流量、温度传感器芯片的尺寸计算压力、流量和温度传感器芯片布局在单硅片上的位置和信号线布局的位置; 所述距离噪声单元(2)用于接收位置布局单元(1)中压力、流量、温度传感器芯片信号线的布局位置和历史数据,计算电源线到每个信号线之间的距离并计算电容耦合,利用电容耦合判断信号干扰问题; 所述干扰优化单元(3)用于接收距离噪声单元(2)中信号线存在信号干扰问题的命令,干扰优化单元(3)向距离噪声单元(2)中获取电源线到信号线的距离并优化距离; 所述距离噪声单元(2)用于接收干扰优化单元(3)中优化的距离和位置布局单元(1)中历史数据,根据优化的距离和历史数据计算优化后的电容耦合并再次判断信号干扰问题; 所述集成封装单元(4)用于接收距离噪声单元(2)中不会产生信号干扰问题的命令,集成封装单元(4)向位置布局单元(1)获取硅片的尺寸和压力、流量、温度传感器芯片的尺寸,向位置布局单元(1)获取压力、流量、温度传感器芯片的中心位置和压力、流量、温度传感器芯片布局的位置和历史数据,将压力、流量和温度传感器芯片布局的位置布局在单硅片上,并分析压力传感器芯片、流量传感器芯片和温度传感器芯片与单硅片连接需要的微凸点数量和位置,将芯片与单硅片连接,集成复合敏感传感器芯片,再对集成的复合敏感传感器芯片进行封装。
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