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龙图腾网获悉联和存储科技(江苏)有限公司申请的专利NAND FLASH寿命的快速测试方法、系统、装置和主机获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119724300B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411665728.6，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权NAND FLASH寿命的快速测试方法、系统、装置和主机是由孙文琪;高伟设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本NAND FLASH寿命的快速测试方法、系统、装置和主机在说明书摘要公布了：本发明公开一种NANDFLASH寿命的快速测试方法、系统、装置和主机，方法包括：测试设备擦除测试块的原始数据，并将测试数据写入测试块；读取测试块得到读取数据，并判断读取数据是否与测试数据一致；若读取数据与测试数据一致，则跳过预设时间间隔，返回执行擦除测试块的原始数据，并将测试数据写入测试块；若读取数据与测试数据不一致，则将测试块标记为坏块，并记录上一测试次数得到测试次数值；根据测试次数值和预设的加速因子确定NANDFLASH的实际使用寿命。本发明通过跳过预设时间间隔和利用预设的加速因子进行还原，就能快速得到NANDFLASH的实际使用寿命，缩短了测试时间，提高了测试效率。

本发明授权NAND FLASH寿命的快速测试方法、系统、装置和主机在权利要求书中公布了：1.一种NANDFLASH寿命的快速测试方法，其特征在于，所述NANDFLASH寿命的快速测试方法包括： 测试设备擦除NANDFLASH的测试块的原始数据，并将测试数据写入所述测试块，其中，所述测试设备为测试NANDFLASH寿命的设备，所述NANDFLASH包括多个存储块，所述测试块为任意一个所述存储块； 读取所述测试块得到读取数据，并判断所述读取数据是否与所述测试数据一致； 若所述读取数据与所述测试数据一致，则跳过预设时间间隔，返回执行擦除NANDFLASH的测试块的原始数据，并将测试数据写入所述测试块； 若所述读取数据与所述测试数据不一致，则将所述测试块标记为坏块，并记录上一测试次数得到测试次数值，其中，所述测试次数值为快速测试时NANDFLASH的加速使用寿命； 根据所述测试次数值和预设的加速因子确定所述NANDFLASH的实际使用寿命； 所述测试设备擦除NANDFLASH的测试块的原始数据，并将测试数据写入所述测试块之前，还包括： 与所述NANDFLASH建立通信； 根据快速测试指令，从所述NANDFLASH的多个所述存储块中确定所述测试块； 所述与所述NANDFLASH建立通信之前，还包括： 与标准NANDFLASH建立通信，其中，标准NANDFLASH为实际使用寿命达到生产要求的NANDFLASH； 根据所述标准NANDFLASH生成第一标准测试指令和第一快速测试指令； 根据所述第一标准测试指令，从所述标准NANDFLASH的多个存储块中确定第一测试块； 根据所述第一快速测试指令，从所述标准NANDFLASH的多个存储块中确定第二测试块； 所述根据所述第一标准测试指令，从所述标准NANDFLASH的多个存储块中确定第一测试块之后，还包括： 擦除所述第一测试块的原始数据，并将所述测试数据写入所述第一测试块； 读取所述第一测试块得到第一读取数据，并判断所述第一读取数据是否与所述测试数据一致； 若所述第一读取数据与所述测试数据一致，则在所述预设时间间隔后，返回执行擦除所述第一测试块的原始数据，并将所述测试数据写入所述第一测试块； 若所述第一读取数据与所述测试数据不一致，则将所述第一测试块标记为坏块，并记录上一测试次数得到第一测试次数值，其中，所述第一测试次数值为标准测试时标准NANDFLASH的实际使用寿命； 所述根据所述第一快速测试指令，从所述标准NANDFLASH的多个存储块中确定第二测试块之后，还包括： 擦除所述第二测试块的原始数据，并将所述测试数据写入所述第二测试块； 读取所述第二测试块得到第二读取数据，并判断所述第二读取数据是否与所述测试数据一致； 若所述第二读取数据与所述测试数据一致，则跳过所述预设时间间隔，返回执行擦除所述第二测试块的原始数据，并将所述测试数据写入所述第二测试块； 若所述第二读取数据与所述测试数据不一致，则将所述第二测试块标记为坏块，并记录上一测试次数得到第二测试次数值，其中，所述第二测试次数值为快速测试时标准NANDFLASH的加速使用寿命； 将所述第一测试次数值除以所述第二测试次数值得到所述预设的加速因子； 所述根据所述测试次数值和预设的加速因子确定所述NANDFLASH的实际使用寿命，包括： 将所述测试次数值乘以所述预设的加速因子得到所述NANDFLASH的实际使用寿命； 其中，对所述标准NANDFLASH进行标准测试时，没有跳过预设时间间隔；对所述标准NANDFLASH进行快速测试时，跳过预设时间间隔。

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