科大国盾量子技术股份有限公司刘仁德获国家专利权
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龙图腾网获悉科大国盾量子技术股份有限公司申请的专利基于硅基SOI芯片的高集成低功耗相移器及MZ干涉仪获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223272754U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422825136.8，技术领域涉及：G02F1/025；该实用新型基于硅基SOI芯片的高集成低功耗相移器及MZ干涉仪是由刘仁德;万颖璇;马龑;栗帅;谢志林;何天宇;王立伟设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于硅基SOI芯片的高集成低功耗相移器及MZ干涉仪在说明书摘要公布了：本实用新型提出了一种基于硅基SOI芯片的高集成低功耗相移器，以及利用这种相移器实现的片上集成的低功耗MZ干涉仪。本实用新型突破了载流子色散型相移器中需要配置并联匹配电阻的固有思维，不再在载流子色散型相移器中设置并联电阻，使其能够表现出大阻抗和极小电流，从而在工作中能够产生极小的功耗，保证本身温度不变，由此实现高稳定性，尤其适于直流工况。此外，本实用新型通过在调制电极上采用梳状设计，能够有效提升空间利用率，尤其是与现有直条形设计相比，在相同等效相移长度情况下，本实用新型的相移器整体面积更低，可以显著提高器件集成度。
本实用新型基于硅基SOI芯片的高集成低功耗相移器及MZ干涉仪在权利要求书中公布了：1.一种基于硅基SOI芯片的高集成低功耗相移器，其包括硅基衬底以及形成于所述硅基衬底上的脊型光波导、第一电极和第二电极； 其特征在于，所述相移器为载流子色散型，且所述第一电极和第二电极之间未设置有终端匹配电阻； 并且，所述第一电极和第二电极为梳状，且所述第一电极和第二电极的梳齿相互交叉设置。
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