浙江大学庞志豪获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利插秧前建立水稻纳米硅防御屏障的通电装置和方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119278786B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411592088.0,技术领域涉及:A01G7/06;该发明授权插秧前建立水稻纳米硅防御屏障的通电装置和方法是由庞志豪;冯小羽;彭红云;梁永超设计研发完成,并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本插秧前建立水稻纳米硅防御屏障的通电装置和方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种插秧前建立水稻纳米硅防御屏障的通电装置和方法。使用该装置时,可在插秧前将水稻根系浸泡在通电的含纳米硅的营养液中,30min后即可在根部形成硅屏障。本发明显著改善了水稻在重金属胁迫下的生长状况,抑制了地上部重金属的吸收。在为期5d的胁迫实验中电刺激纳米硅聚合的效果优于传统基质施加纳米硅。此外,转录分析进一步揭示了电刺激纳米硅的基因调控作用与单纯电刺激有显著差异。本发明提供了一种在插秧前提高水稻抗逆性的便捷处理方法。
本发明授权插秧前建立水稻纳米硅防御屏障的通电装置和方法在权利要求书中公布了:1.一种插秧前建立水稻纳米硅防御屏障的通电装置,其特征在于,包括供电装置(1)和非导电材料制成的无盖容器; 所述无盖容器内通过两块带孔隔板分隔形成三个相互连通的腔室,两块带孔隔板之间的为用于放置水稻幼苗的植物室(3),位于植物室(3)两侧的是两个通电室(2);整个无盖容器内部存储有含纳米硅的营养液,且营养液高度应能够浸没水稻幼苗的根系; 所述供电装置(1)包含电池以及连接分别在电池正负极上的正负电极板,正电极板和负电极板分别设置于两个通电室(2)内的营养液液面以下,用于对浸没于营养液中的水稻幼苗根系两侧施加诱导根部形成纳米硅屏障的电压。
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