珠海市兴磁科技有限公司王艳获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海市兴磁科技有限公司申请的专利一种密封纳米晶磁芯外壳获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223273080U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422693353.6,技术领域涉及:H01F3/00;该实用新型一种密封纳米晶磁芯外壳是由王艳;王仲芬;王振海设计研发完成,并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种密封纳米晶磁芯外壳在说明书摘要公布了:本实用新型属于磁芯外壳技术领域,公开了一种密封纳米晶磁芯外壳,包括外壳,外壳设有下盖和上盖,下盖设有具有上侧开口的容置腔,上盖盖合并卡接于下盖的上侧开口处,下盖的容置腔内装载有磁芯;下盖的上侧开口处的外周环边延伸有朝向上方向的第一环形卡凸,下盖的上侧开口处的内周环边延伸有朝向上方向的第二环形卡凸,上盖的底部设有与第一环形卡凸对应的第一环形凹槽,上盖的底部设有与第二环形卡凸对应的第二环形凹槽;装配上盖时将第一环形凹槽和第二环形凹槽分别对插于下盖的第一环形卡凸和第二环形卡凸,且上盖的第一环形凹槽和第二环形凹槽内通过涂胶与下盖粘接。本实用新型能够将磁芯固定在外壳内部,防止在长时间使用下,磁芯松动或脱落。
本实用新型一种密封纳米晶磁芯外壳在权利要求书中公布了:1.一种密封纳米晶磁芯外壳,包括外壳100,其特征在于,所述外壳100设置有下盖200和上盖300,所述下盖200开设有具有上侧开口的容置腔210,所述上盖300盖合并卡接于所述下盖200的上侧开口处,所述下盖200的容置腔210内部装载有磁芯400; 所述下盖200的上侧开口处的外周环边延伸有朝向上方向的第一环形卡凸220,所述下盖200的上侧开口处的内周环边延伸有朝向上方向的第二环形卡凸230,所述上盖300的底部开设有与所述第一环形卡凸220对应的第一环形凹槽310,所述上盖300的底部开设有与所述第二环形卡凸230对应的第二环形凹槽320; 装配所述上盖300时将所述第一环形凹槽310和第二环形凹槽320分别对插于所述下盖200的第一环形卡凸220和第二环形卡凸230,并且所述上盖300的第一环形凹槽310和第二环形凹槽320内通过涂胶与所述下盖200粘接。
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