南通尚阳通集成电路有限公司葛永飞获国家专利权
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龙图腾网获悉南通尚阳通集成电路有限公司申请的专利一种半导体框架结构、半导体功率器件及半导体模块获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223273286U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422700239.1,技术领域涉及:H01L23/495;该实用新型一种半导体框架结构、半导体功率器件及半导体模块是由葛永飞;沈成凯设计研发完成,并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体框架结构、半导体功率器件及半导体模块在说明书摘要公布了:本申请涉及半导体技术领域,公开了一种半导体框架结构、半导体功率器件及半导体模块,该半导体框架结构包括:载片台和散热片;散热片设置在载片台的背面;载片台包括半腐蚀区域;其中,半腐蚀区域为载片台中未被散热片覆盖的区域;半腐蚀区域上设置有至少一个实体隔断和或在半腐蚀区域上开设至少一个缺口;其中,实体隔断与散热片相连;缺口与散热片相连。本申请半导体框架结构进行塑封后,散热片边缘与塑封料的结合性加强,可以有效分散应力,避免了应力集中导致的塑封体开裂问题,进而使得本申请的半导体框架结构提高了产品的高低温循环测试中的可靠性,延长了产品的使用寿命。
本实用新型一种半导体框架结构、半导体功率器件及半导体模块在权利要求书中公布了:1.一种半导体框架结构,其特征在于,包括:载片台和散热片; 所述散热片设置在所述载片台的背面; 所述载片台包括半腐蚀区域;其中,所述半腐蚀区域为所述载片台中未被所述散热片覆盖的区域; 所述半腐蚀区域上设置有至少一个实体隔断和或在所述半腐蚀区域上开设至少一个缺口;其中,所述实体隔断与所述散热片相连;所述缺口与所述散热片相连。
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