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龙图腾网获悉深圳市佳晟宇科技有限公司申请的专利一种高边自举驱动控制电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223274097U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422678912.6，技术领域涉及：H03K17/687；该实用新型一种高边自举驱动控制电路是由刘琴亮;骆正亮;叶辉;潘灿辉;雷国晴;尹松勇设计研发完成，并于2024-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高边自举驱动控制电路在说明书摘要公布了：本实用新型的高边自举驱动控制电路，包括NMOS管Q1、NMOS管Q2、NMOS管Q3、NMOS管Q4、MOS管Q9、MOS管Q11、电容C1、电容CE1、电容C2、输入电平A点和输入高频脉冲信号B点，还包括与输入电平A点连接的三极管Q28和三极管Q27，与输入高频脉冲信号B点连接的三极管Q10和三极管Q14，NMOS管Q1、NMOS管Q2、NMOS管Q3与NMOS管Q4相互连接形成防倒灌电路，该防倒灌电路与电容C2、电容CE1和电容C1连接；MOS管Q11的一端连接三极管Q10和三极管Q14，另一端连接电容C1和MOS管Q9的一端，MOS管Q9的另一端连接电容CE1和电容C2，三极管Q27的一端连接三极管Q28，另一端连接电容C1、电容CE1和电容C2的。该高边自举驱动控制电路，通过在电路中增加防倒灌电路，达到控制电路使用成本的效果。

本实用新型一种高边自举驱动控制电路在权利要求书中公布了：1.一种高边自举驱动控制电路，其特征在于，包括NMOS管Q1、NMOS管Q2、NMOS管Q3、NMOS管Q4、MOS管Q9、MOS管Q11、电容C1、电容CE1、电容C2、输入电平A点和输入高频脉冲信号B点，还包括与输入电平A点连接的三极管Q28和三极管Q27，与输入高频脉冲信号B点连接的三极管Q10和三极管Q14，所述NMOS管Q1、NMOS管Q2、NMOS管Q3与NMOS管Q4相互连接形成防倒灌电路，该防倒灌电路与电容C2、电容CE1和电容C1连接； 所述MOS管Q11的一端连接三极管Q10和三极管Q14，另一端连接电容C1和MOS管Q9的一端，所述MOS管Q9的另一端连接电容CE1和电容C2，所述三极管Q27的一端连接三极管Q28，另一端连接电容C1、电容CE1和电容C2的一端。

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