上海新微半导体有限公司刘峰获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微半导体有限公司申请的专利半导体激光器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223273663U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422659989.9，技术领域涉及：H01S5/024；该实用新型半导体激光器是由刘峰;赵风春;王龙龙设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体激光器在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体激光器，通过在有源区与衬底的第二表面之间设置纵横交错的多个第一凹槽和多个第二凹槽，可以增加衬底的第二表面的粗糙度，从而有效释放衬底中的应力，降低衬底的第二表面的翘曲，进而提高器件的可靠性。此外，相邻的两个第一凹槽与相邻的两个第二凹槽之间具有散热孔，金属电极覆盖第一凹槽的内表面、第二凹槽的内表面、散热孔的内表面和衬底的第二表面。通过设置散热孔，可以减小有源区与金属电极之间的距离，使得有源区产生的热量可以较容易的穿过衬底到达金属电极，并被金属电极迅速传导出去，由此改善半导体激光器的散热效果，提升了器件的散热能力，延长了器件的使用寿命，并降低了接触电阻。
本实用新型半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器，其特征在于，包括： 衬底和位于所述衬底中的有源区，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面，所述有源区与所述衬底的第二表面之间具有纵横交错的多个第一凹槽和多个第二凹槽，相邻的两个所述第一凹槽与相邻的两个所述第二凹槽之间具有散热孔，其中，所述第一凹槽的底部、所述第二凹槽的底部和所述散热孔的底部均与所述有源区相间隔，且所述散热孔的底部与所述有源区之间的间隔，小于所述第一凹槽的底部和所述第二凹槽的底部各自与所述有源区之间的间隔； 金属电极，覆盖所述第一凹槽的内表面、所述第二凹槽的内表面、所述散热孔的内表面和所述衬底的第二表面。
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