北京博兴科源电子技术有限公司张波获国家专利权
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龙图腾网获悉北京博兴科源电子技术有限公司申请的专利一种高稳定性磁铁电源获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223274003U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422517779.6，技术领域涉及：H02M1/32；该实用新型一种高稳定性磁铁电源是由张波设计研发完成，并于2024-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高稳定性磁铁电源在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种高稳定性磁铁电源，包括：低频整流模块，接收三相交流电，并且将三相交流电转换成直流电压；相移全桥逆变模块，与低频整流模块连接，接收低频整流模块输出的直流电压，并且对所述直流电压进行逆变；变压器隔离模块，与相移全桥逆变模块连接；以及高频整流模块，与变压器隔离模块连接；其中，相移全桥逆变模块包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管构成的H桥电路，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管中的每个MOS管的源极和漏极之间连接有电感和电容，MOS管上的电容吸收回路串入饱和电感，避免逆变出现非零压条件。
本实用新型一种高稳定性磁铁电源在权利要求书中公布了：1.一种高稳定性磁铁电源，其特征在于，包括： 低频整流模块，接收三相交流电，并且将三相交流电转换成直流电压； 相移全桥逆变模块，与低频整流模块连接，接收低频整流模块输出的直流电压，并且对所述直流电压进行逆变； 变压器隔离模块，与相移全桥逆变模块连接；以及 高频整流模块，与变压器隔离模块连接； 其中，相移全桥逆变模块包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管构成的H桥电路，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管中的每个MOS管的源极和漏极之间连接有电感和电容，MOS管上的电容吸收回路串入饱和电感，避免逆变出现非零压条件。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京博兴科源电子技术有限公司，其通讯地址为：101300 北京市顺义区赵全营镇河庄村东街107号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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