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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种多种颜色LED阵列及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119050125B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411150510.7，技术领域涉及：H10H29/14；该发明授权一种多种颜色LED阵列及其制备方法是由刘先河;肖德国;刘志宏;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多种颜色LED阵列及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多种颜色LED阵列及其制备方法，该阵列包括：半导体平面模板、第一类掺杂半导体柱状结构阵列和异质结构器件层。该方法包括：制备半导体平面模板；进行图案化工艺处理，得到刻蚀掩模层；通过干法刻蚀对故意掺杂半导体平面层进行部分刻蚀处理并去除刻蚀掩模层，得到第一类掺杂半导体柱状结构阵列；通过金属有机化学气相沉积方法对第一类掺杂半导体柱状结构阵列进行外延生长处理，得到异质结构器件层，制备LED阵列。本发明能够简化紧密分布的彩色LED阵列制备工艺，避免微型LED芯片的巨量转移，降低制备成本，提高LED器件的发光效率。本发明作为一种多种颜色LED阵列及其制备方法，可广泛应用于半导体光电器件技术领域。

本发明授权一种多种颜色LED阵列及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多种颜色LED阵列，其特征在于，包括半导体平面模板、第一类掺杂半导体柱状结构阵列和异质结构器件层，所述异质结构器件层为柱状结构阵列，所述半导体平面模板的上表面设置有所述第一类掺杂半导体柱状结构阵列，所述第一类掺杂半导体柱状结构阵列的上表面设置有所述异质结构器件层，其中： 所述半导体平面模板用于支撑LED阵列； 所述第一类掺杂半导体柱状结构阵列呈现周期性排列分布并用于控制LED阵列的发光颜色； 所述异质结构器件层包括第一类掺杂半导体、发光有源区和第二类掺杂半导体，用于在外加电压下进行发光，所述第一类掺杂半导体的上表面集成有所述发光有源区，所述发光有源区的上表面集成有所述第二类掺杂半导体，所述第一类掺杂半导体和所述第二类掺杂半导体的掺杂类型相反，其中一类是n型掺杂，另一类是p型掺杂，其中： 所述第一类掺杂半导体用于将电子或空穴作为载流子在外加电压下进行电流传导； 所述发光有源区用于让电子和空穴进行辐射复合发光； 所述第二类掺杂半导体用于将空穴或电子作为载流子在外加电压下进行电流传导； 第一掺杂类型半导体和第二掺杂类型半导体内的多数载流子类型不同，一类是电子，另一类是空穴； 所述第一类掺杂半导体柱状结构阵列和所述异质结构器件层组成LED器件结构，所述LED器件结构包括第一LED器件结构、第二LED器件结构和第三LED器件结构，所述第一LED器件结构、所述第二LED器件结构和所述第三LED器件结构均水平紧密排列于所述半导体平面模板的上表面，所述第一LED器件结构、所述第二LED器件结构和所述第三LED器件结构之间的水平间距为0.1-50μm，其中： 所述第一LED器件结构用于发出第一种颜色的光； 所述第二LED器件结构用于发出第二种颜色的光； 所述第三LED器件结构用于发出第三种颜色的光； 不同颜色的LED器件由不同直径的按不同周期排列的柱状结构阵列构成，不同颜色的LED器件发光光谱中心波长的差别大于10nm，各LED器件在任一维度的尺寸为0.1μm到50μm，各LED器件的柱状结构直径小于10μm。

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