江西赣锋锂电科技股份有限公司戈志敏获国家专利权
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龙图腾网获悉江西赣锋锂电科技股份有限公司申请的专利一种功率MOS封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223273272U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422029672.7，技术领域涉及：H01L23/31；该实用新型一种功率MOS封装结构是由戈志敏;黄文杰;赵威然;李晖;武文涛设计研发完成，并于2024-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率MOS封装结构在说明书摘要公布了：本实用新提供了一种功率MOS封装结构：包括：芯片；源极引脚、栅极引脚和漏极引脚；封装框架，包裹在所述芯片和所述源极引脚、所述栅极引脚和所述漏极引脚的外部；第一键合线，连接所述漏极引脚和所述芯片；所述封装框架内设置有一个独立的空腔，所述键合线的至少一部分位于所述空腔内。本实用新型的MOS封装结构由于键合线位于一个独立的空腔中，具有足够的空间容纳熔断后的键合线，键合线不会发现发生熔断后再重新电连接的现象，整体提升了MOS封装结构的电连接的安全性。
本实用新型一种功率MOS封装结构在权利要求书中公布了：1.一种功率MOS封装结构，包括： 芯片； 源极引脚、栅极引脚和漏极引脚； 封装框架，包裹在所述芯片和所述源极引脚、所述栅极引脚和所述漏极引脚的外部； 第一键合线，连接所述漏极引脚和所述芯片；其特征在于，所述封装框架内设置有一个独立的空腔，所述键合线的至少一部分位于所述空腔内。
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